基于新型rotaxane 分子薄膜的超高密度信息存储
批准号:
60771037
项目类别:
面上项目
资助金额:
32.0 万元
负责人:
时东霞
依托单位:
学科分类:
物理电子学
结题年份:
2010
批准年份:
2007
项目状态:
已结题
项目参与者:
郭海明、刘奇、潘毅、高敏、杨冰、江楠、蔡丽、张晨栋、季威
中文摘要
通过结构优化和功能设计,提高纳米信息存储材料的稳定性和重复性是超高密度信息存储的重要研究方向之一。本项目基于具有结构双稳态特性的一类rotaxane分子薄膜材料,通过扫描隧道显微镜(STM)电压脉冲进行具有可逆分子电导转变的稳定、可重复擦写的超高密度信息存储研究。第一、通过结构优化,改进rotaxane分子的结构基团,调控分子各部分之间的相互作用,使分子的可逆结构和电导转变具有更好的重复性和稳定性。第二、制备结构有序的单层和几层rotaxane分子薄膜,用扫描电镜、原子力显微镜、红外、拉曼等手段对薄膜的结构特性进行表征。第三、采用STM电压脉冲技术,在薄膜上进行稳定、重复、可擦写的超高密度信息存储研究,缩短电导转变的时间。本项目的实施将为用于超高密度信息存储器件的实用化材料的探索提供有价值的研究结果。
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DOI:
--
发表时间:
--
期刊:
物理
影响因子:
--
作者:
[张德清, 杜世萱, 高鸿钧, 时东霞, 朱道本, 丰敏, 季威]
通讯作者:
季威
Structural Properties of Tetra-tert-butyl Zinc(II) Phthalocyanine Isomers on a Au(111) Surface
Au(111) 表面四叔丁基锌(II)酞菁异构体的结构性质
DOI:
10.1021/jp901193h
发表时间:
2009-07-02
期刊:
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C
影响因子:
3.7
作者:
[Deng, Z. T., Guo, H. M., Gao, H. -J.]
通讯作者:
Gao, H. -J.
STM study of In nanostructures formation on Ge(001) surface at different coverages and temperatures
不同覆盖度和温度下Ge(001)表面In纳米结构形成的STM研究
DOI:
10.1088/1674-1056/17/3/051
发表时间:
2008-03
期刊:
Chinese Physics B
影响因子:
1.7
作者:
[]
通讯作者:
Reversible and Reproducible Conductance Transition in a Polyimide Thin Film
聚酰亚胺薄膜中可逆且可重复的电导转变
DOI:
10.1021/jp806276r
发表时间:
2008-11-06
期刊:
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C
影响因子:
3.7
作者:
[Cai, Li, Feng, Min, Gao, Hong-jun]
通讯作者:
Gao, Hong-jun
DOI:
--
发表时间:
--
期刊:
物理
影响因子:
--
作者:
[王业亮, 杜世萱, 申承民, 高鸿钧, 郭海明, 时东霞]
通讯作者:
时东霞
共 11 条
高质量单层连续二硫化钼的范德瓦尔斯外延生长研究
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批准号:51572289
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项目类别:面上项目
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资助金额:64.0万元
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批准年份:2015
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负责人:时东霞
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依托单位:
波纹化石墨烯纳米条带的制备及器件特性研究
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批准号:11074288
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项目类别:面上项目
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资助金额:52.0万元
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批准年份:2010
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负责人:时东霞
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依托单位:
功能纳米金属粒子及其在单电子器件中的应用
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批准号:60276041
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项目类别:面上项目
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资助金额:28.0万元
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批准年份:2002
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负责人:时东霞
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依托单位:
国内基金
海外基金