STM study of In nanostructures formation on Ge(001) surface at different coverages and temperatures
STM study of In nanostructures formation on Ge(001) surface at different coverages and temperatures
复制标题
不同覆盖度和温度下Ge(001)表面In纳米结构形成的STM研究
DOI：
10.1088/1674-1056/17/3/051
复制
发表时间：
2008-03
影响因子：
1.7
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
在320℃下退火得到了不同的In/Ge（001）纳米结构。样品的临界覆盖层为2.1单层In，在不同温度下可以得到不同的In/Ge（001）纳米结构
Different In/Ge(001) nanostructures have been obtained by annealing the samples at 320°C with different coverages of In. Annealing a sample with a critical coverage of 2.1 monolayer of In, different In/Ge(001) nanostructures can be obtained at different t
登录
查看更多内容
DOI：
10.1088/1009-1963/11/10/314
发表时间：
2002-10
期刊：
Chinese Physics
影响因子：
--
作者：
Changzhi Gu;K. Braun;K. Rieder
通讯作者：
Changzhi Gu;K. Braun;K. Rieder
影响因子：
8.6
作者：
MO, YW;SAVAGE, DE;LAGALLY, MG
通讯作者：
LAGALLY, MG
影响因子：
1.9
作者：
Z. Gai;H. Ji;Yi He;Chuansheng Hu;R. Zhao;W. Yang
通讯作者：
Z. Gai;H. Ji;Yi He;Chuansheng Hu;R. Zhao;W. Yang
影响因子：
3.7
作者：
Wang, J;Li, M;Altman, EI
通讯作者：
Altman, EI
DOI：
10.7498/aps.51.296
发表时间：
2005-05
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
张永平;闫隆;解思深;庞世谨;高鸿钧
通讯作者：
张永平;闫隆;解思深;庞世谨;高鸿钧