极紫外光刻技术（EUVL）被认为是下一代光刻技术的最主要候选技术，EUV光源是EUVL的关键技术之一。近年来该领域的研究与发展趋势表明采用CO2激光等离子体作为EUV光源已经显示出巨大优势，可能是将来EUVL设备的最佳光源。项目针对EUVL设备需要的高转换效率、窄带宽、低碎屑和长寿命等需求，在国内提出采用脉冲CO2激光驱动Sn等离子体获得高转换效率、低碎屑EUV光源的方案。通过数值模拟与理论分析，深入理解CO2激光驱动等离子体辐射EUV的物理机制，优化实验参数与靶的设计，实现13.5nm处2%带宽高转换效率、高清洁度EUV光源输出。项目的开展将有助于我国在EUVL研究领域取得自主知识产权的成果并赶上国际同期水平。