基于SOI衬底的无结纳米片GAA器件研制及其抗总剂量辐射效应机理研究
批准号：
--
项目类别：
面上项目
资助金额：
59 万元
负责人：
母志强
依托单位：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
学科分类：
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结题年份：
--
批准年份：
2022
项目状态：
未结题
项目参与者：
母志强
关键词：
抗总剂量辐射效应SOI衬底无结纳米片
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基于VESOI 技术的H 型栅器件研制及其抗总剂量辐射效应机理研究
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