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大气中子导致的SiC功率MOSFET器件损伤机理与失效预计模型研究

批准号：
12375268
项目类别：
面上项目
资助金额：
53.00 万元
负责人：
彭超
依托单位：
工业和信息化部电子第五研究所
学科分类：
材料与器件辐照损伤
结题年份：
--
批准年份：
2023
项目状态：
未结题
项目参与者：
彭超
关键词：
大气中子导致SiC功率MOSFET器件损伤机理失效预计模型研究学术科研专家主题词4主题词5

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