课题基金基金详情
辐射导致的GaN基HEMT器件缺陷特性及损伤机理研究
批准号：
--
项目类别：
省市级项目
资助金额：
10.0 万元
负责人：
彭超
依托单位：
工业和信息化部电子第五研究所
学科分类：
E03.有机高分子材料
结题年份：
--
批准年份：
2019
项目状态：
未结题
项目参与者：
彭超
关键词：
GaN基HEMT 辐射损伤 缺陷 载流子 电学特性
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