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堆叠纳米片全环绕栅极晶体管的ESD损伤机理及鲁棒性增强模型研究
批准号：
62374175
项目类别：
面上项目
资助金额：
48.00 万元
负责人：
李晓静
依托单位：
中国科学院微电子研究所
学科分类：
F0405.半导体器件物理
结题年份：
--
批准年份：
2023
项目状态：
未结题
项目参与者：
李晓静
关键词：
堆叠纳米片全环绕栅极晶体管ESD损伤机理鲁棒性增强模型学术科研专家
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基于DCIV界面态表征技术的抗辐照SOI MOS器件界面调控机理研究
  • 批准号：
    61804168
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    24.0万元
  • 批准年份：
    2018
  • 负责人：
    李晓静
  • 依托单位：
    中国科学院微电子研究所
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