堆叠纳米片全环绕栅极晶体管的ESD损伤机理及鲁棒性增强模型研究
批准号:
62374175
项目类别:
面上项目
资助金额:
48.00 万元
负责人:
李晓静
依托单位:
学科分类:
半导体器件物理
结题年份:
--
批准年份:
2023
项目状态:
未结题
项目参与者:
李晓静
基于DCIV界面态表征技术的抗辐照SOI MOS器件界面调控机理研究
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批准号:61804168
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:24.0万元
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批准年份:2018
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负责人:李晓静
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依托单位:
国内基金
海外基金