基于 SRAM 的高能效高安全存算一体芯片研究
批准号：
2024JJ5093
项目类别：
省市级项目
资助金额：
--
负责人：
陈卓俊
依托单位：
湖南大学
学科分类：
E01.金属材料
结题年份：
--
批准年份：
2024
项目状态：
未结题
项目参与者：
陈卓俊
关键词：
SRAM高能效高安全存算一体芯片
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基于反型系数的SOI 器件辐射效应建模及低功耗电路验证
  • 批准号：
    2019JJ50092
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    0.0万元
  • 批准年份：
    2019
  • 负责人：
    陈卓俊
  • 依托单位：
    湖南大学
低功耗频率综合器的总剂量辐射效应研究
  • 批准号：
    61804053
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    27.0万元
  • 批准年份：
    2018
  • 负责人：
    陈卓俊
  • 依托单位：
    湖南大学
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