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瞬态极端应力下并联GaN功率芯片的退化机理及优化技术

批准号：
--
项目类别：
省市级项目
资助金额：
15.0 万元
负责人：
施宜军
依托单位：
工业和信息化部电子第五研究所
学科分类：
电气科学与工程
结题年份：
--
批准年份：
2024
项目状态：
未结题
项目参与者：
施宜军
关键词：
瞬态极端应力并联GaN功率芯片退化优化技术

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