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p-GaN HEMT车载瞬态过电压损伤机理及新结构
批准号：
62374045
项目类别：
面上项目
资助金额：
55.00 万元
负责人：
施宜军
依托单位：
工业和信息化部电子第五研究所
学科分类：
F0404.半导体电子器件与集成
结题年份：
--
批准年份：
2023
项目状态：
未结题
项目参与者：
施宜军
关键词：
p-GaN HEMT车载瞬态过电压损伤机理新结构学术科研
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