基于离子束刻蚀法的宽带连续可调谐半导体量子点光源
结题报告
批准号:
60776038
项目类别:
面上项目
资助金额:
7.0 万元
负责人:
陆明
依托单位:
学科分类:
F0403.半导体光电子器件与集成
结题年份:
2008
批准年份:
2007
项目状态:
已结题
项目参与者:
赵有源、陈丹、周靖、解志强、李政皓、朱江、张淼
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中文摘要
离子束刻蚀法是一种新型的自组织量子点生成方法。宽带的连续可调谐紧凑型固体光源一直是人们追求的目标。项目将基于前期基础研究工作,利用该方法生成的自组织半导体量子点阵具有高密度和量子点尺寸精确可控的特点,根据量子尺寸效应原理,开展发光波长大范围连续可调的半导体量子点光源包括一种相关的Si纳米柱阵列研究。该研究将为最终实现宽带连续可调谐半导体量子点激光器奠定基础,在信息,国防,医学等领域具有重要意义。
英文摘要
期刊论文列表
专著列表
科研奖励列表
会议论文列表
专利列表
DOI:10.1016/j.apsusc.2007.09.009
发表时间:2008-02
期刊:Applied Surface Science
影响因子:6.7
作者:Jing Zhou;W. Fan;Wenbin Chen;You-yuan Zhao;Ming Lu
通讯作者:Jing Zhou;W. Fan;Wenbin Chen;You-yuan Zhao;Ming Lu
A combined approach to fabricating Si nanocrystals with high photoluminescence intensity
一种制备高光致发光强度硅纳米晶体的组合方法
DOI:10.1016/j.apsusc.2008.10.052
发表时间:2009
期刊:Applied Surface Science
影响因子:6.7
作者:
通讯作者:
硅亚带隙红外光伏响应及宽谱响应晶硅太阳电池研究
  • 批准号:
    62075044
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    59万元
  • 批准年份:
    2020
  • 负责人:
    陆明
  • 依托单位:
密堆积硅量子点薄膜材料的结构优化,发光和光伏特性及应用研究
  • 批准号:
    51472051
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    83.0万元
  • 批准年份:
    2014
  • 负责人:
    陆明
  • 依托单位:
一种新型强吸光性晶体硅及其光伏结构研究
  • 批准号:
    61275178
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    74.0万元
  • 批准年份:
    2012
  • 负责人:
    陆明
  • 依托单位:
金属氧化物的新型带隙调制及广谱光分解效应研究
  • 批准号:
    10974034
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    38.0万元
  • 批准年份:
    2009
  • 负责人:
    陆明
  • 依托单位:
硅纳米晶光频转换增强及晶体硅电池光电转换效率的提高
  • 批准号:
    60878044
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    32.0万元
  • 批准年份:
    2008
  • 负责人:
    陆明
  • 依托单位:
离子束刻蚀生成的自组织半导体量子点:形貌调控及发光性质研究
  • 批准号:
    10374016
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    27.0万元
  • 批准年份:
    2003
  • 负责人:
    陆明
  • 依托单位:
国内基金
海外基金