界面掺杂对FM/AFM薄膜性能影响的研究

铁磁/反铁磁（FM/AFM）界面的交换偏置现象在磁性金属多层膜应用中起到关键作用。在FM/AFM界面的磁矩状态对于多层膜的磁学性能（如提高Hex，改善热稳定性等）影响至关重要，而界面磁结构很大程度上取决于界面的晶体结构和微结构。因此关于在FM/AFM界面如何控制微结构、调节界面未补偿磁矩的数量和状态，有必要做深入细致的研究。. 本研究拟解决的科学性问题是： 如何进行材料设计，控制FM/AFM界面的微结构进而控制磁结构，提高多层膜的磁学性能。. 为了解决上述科学问题，我们提出在FM/AFM界面上，插入适当厚度的插层，并在AFM层靠近界面的部分引入掺杂层，调节界面未补偿磁矩的数量和状态，提高多层膜的磁学性能，制备出性能优异的FM/AFM薄膜材料。我们做了如下方面的研究：   .(1)超薄磁性插层对交换偏置的影响 （2）反磁化不对称特征的研究（3）Pt/Co/MgO垂直各向异性研究（4）Pt层厚度对[Pt/Co]3/Pt/FeMn多层膜的反磁化行为影响（5）(Pt/Co)3/FeMn多层膜中层间耦合与界面耦合的竞争及反磁化不对称特征（6）Pt插层对Co-FeMn界面的影响（7）Pt插层对(Pt/Co)4/FeMn 影响（8）控制界面微结构提高FM/AFM交换耦合（9）MgO对CoFe/IrMn交换偏置的影响(10) 反铁磁NiO对垂直各向异性多层膜性能的影响研究（11）慢正电子湮没研究性能与结构的关系（12）NiCo和NiFe平面霍尔效应的研究（13）MgO基片改善各向异性磁电阻薄膜性能。上述研究问题取得了不错的实验结果，相应的结果正在整理和发表中。