A study of the properties and microstructure of Ni81Fe19 ultrathin films with MgO
A study of the properties and microstructure of Ni81Fe19 ultrathin films with MgO
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MgO Ni81Fe19超薄膜的性能和微观结构研究
DOI：
10.1016/j.jmmm.2011.07.006
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发表时间：
2012
影响因子：
2.7
通讯作者：
Yu, Guanghua
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Li, Minghua;Han, Gan;Ding, Lei;Wang, Xiaocui;Liu, Yang;Feng, Chun;Wang, Haicheng;Yu, Guanghua
在380℃退火2h后，有MgO- nano氧化层（NOL）的Ta (5nm)/MgO (3nm)/Ni81Fe19(10nm)/MgO (2nm)/Ta （3nm）薄膜的各向异性磁阻（AMR）比无MgO-NOL氧化层的Ta (5nm)/Ni81Fe19(10nm)/Ta （3nm）薄膜的AMR从1.05%显著提高到3.24%。MgO虽然破坏了NiFe（111）织体，但增强了NOL界面处传导电子的镜面电子散射，抑制了Ta/NiFe和NiFe/Ta界面的界面反应和扩散。退火后形成了NiFe（111）织构，AMR比较高。x射线光电子能谱结果表明，mgox膜中存在Mg和Mg2+。
The anisotropic magnetoresistance (AMR) of a Ta (5nm)/MgO (3nm)/Ni81Fe19(10nm)/MgO (2nm)/Ta (3nm) film with MgO-Nano Oxide Layer (NOL) increases dramatically from 1.05% to 3.24% compared with a Ta (5nm)/Ni81Fe19(10nm)/Ta (3nm) film without the MgO-NOL layer after annealing at 380°C for 2h. Although the MgO destroys the NiFe (111) texture, it enhances the specular electron scattering of the conduction electrons at the NOL interface and suppresses the interface reactions and diffusion at the Ta/NiFe and NiFe/Ta interfaces. The NiFe (111) texture was formed after the annealing, resulting in a higher AMR ratio. X-ray photoelectron spectroscope results show that Mg and Mg2+were present in the MgOxfilms.
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Tsann Lin;D. Mauri;B. York;P. Rice
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Demailles, D.
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