主要围绕2.0μm近、中红外波段半导体激光器材料和器件开展了研究工作，主要开展的研究内容如下： .1）深入开展了外延生长量子点激光器材料研究， 分析了生长温度、生长速度、V/III族束流比、掺杂浓度以及量子点密度、形状等对生长质量和发光效率的影响；首次采用Sb敏化和InGaAs应变减小层技术拓展波长的同时，优化生长速率和退火温度，分析了结构参数对量子点结构的光学性质和电学性质的影响。.2）主要开展了InGaAs(Sb)的优化生长研究。优化材料生长条件和结构设计，开展高质量、高发光效率的InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱生长研究，提高有源区增益、降低激射阈值；获得了高均匀性、高晶体质量的InGaAsSb/AlGaAsSb材料，获取了提高量子阱结构生长质量的技术手段。.3）深入开展了GaSb基量子阱材料的器件工艺研究。.（1）解决了GaSb基材料的刻蚀、钝化和欧姆接触等关键工艺技术问题；.（2）评价和表征了器件特性，分析了影响器件阈值、效率等因素。.4）开展了位于2μm波段低维In(Ga)As(Sb)量子点激光器材料、中红外锑化物量子阱In(Al)GaAsSb激光器技术研究。.（1）系统研究了影响量子点的生长因素。开展了采用多层量子点在量子阱中（DWELL）结构的激光器研究。为了提高激光器有源区量子点的均匀性，增加有效激射量子点的数目，采用多层量子点结构，通过选择适当的量子点间隔层厚度，利用存在于量子点层之间应力的相互作用，使量子点在垂直方向上相互吸引，形成大尺寸量子有源区的“应变人工控制”，不但增大了量子点的体密度，还有效地改善了量子点分布的均匀性。.（2）采用分子束外延(Molecular Beam Epitaxy，MBE) 生长技术，制备了波长位于1.6-2.3μm的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构材料。在此基础上制备的2.2μm波长激光器，测得激光器件的阈值电流密度为187A/cm2，斜率效率为0.2W/A，室温下连续输出功率达到320mW。波长随注入温度的变化率约为0.28nm/℃。当温度从20℃升高到60℃时，斜率效率由20.1% 减小到10.8%。 制备的DWELL结构激光器，输出功率可达700mW，电光效率约为26%。