High Selectivity Hydrogen Gas Sensor Based on WO(3)/Pd-AlGaN/GaN HEMTs.
High Selectivity Hydrogen Gas Sensor Based on WO(3)/Pd-AlGaN/GaN HEMTs.
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DOI：
10.3390/s23073465
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发表时间：
2023-03-26
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Kim H
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Nguyen VC;Cha HY;Kim H
研究了基于AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)的高温传感氢气传感器。传感器的栅极区使用10 nm的Pd催化层进行功能化，用于氢气传感。为了提高传感器对氢气的选择性，在Pd层的顶部沉积了一层薄的WO_3层。在200℃时，该传感器对4%-H2的灵敏度高达658%，而与NO2、CH4、CO2、NH3和H2S的相互作用很小。从150°C到250°C，传感器的10ppm氢气响应至少是其他目标气体的8倍。这些结果表明，该传感器适用于高温复杂气体环境中的氢气检测。
We investigated the hydrogen gas sensors based on AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) for high temperature sensing operation. The gate area of the sensor was functionalized using a 10 nm Pd catalyst layer for hydrogen gas sensing. A thin WO3 layer was deposited on top of the Pd layer to enhance the sensor selectivity toward hydrogen gas. At 200 °C, the sensor exhibited high sensitivity of 658% toward 4%-H2, while exhibiting only a little interaction with NO2, CH4, CO2, NH3, and H2S. From 150 °C to 250 °C, the 10 ppm hydrogen response of the sensor was at least eight times larger than other target gases. These results showed that this sensor is suitable for H2 detection in a complex gas environment at a high temperature.
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影响因子：
6.2
作者：
Cai, Zhicheng;Park, Sunghoon
通讯作者：
Park, Sunghoon
影响因子：
8.4
作者：
Lee, Eui-Bok;Hwang, In-Sung;Ju, Byeong-Kwon
通讯作者：
Ju, Byeong-Kwon
DOI：
10.3390/nano8110902
发表时间：
2018-11-03
期刊：
Nanomaterials (Basel, Switzerland)
影响因子：
--
作者：
Lee JH;Kim JY;Mirzaei A;Kim HW;Kim SS
通讯作者：
Kim SS
影响因子：
8.4
作者：
Lee, Jiwon;Kim, Dai Hong;Jho, Jae Young
通讯作者：
Jho, Jae Young
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4.6
作者：
Lim, Sang-Hwi;Kim, Han-Ki
通讯作者：
Kim, Han-Ki