Quantitative Characterization of Fast-Trap Behaviors in Al2O3/GeOx/Ge pMOSFETs
Quantitative Characterization of Fast-Trap Behaviors in Al2O3/GeOx/Ge pMOSFETs
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Al2O3/GeOx/Ge pMOSFET 中快速陷阱行为的定量表征
DOI：
10.1109/ted.2018.2836398
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发表时间：
2018-05
影响因子：
3.1
通讯作者：
Yi Zhao
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Xiao Yu;Ran Cheng;Jiabao Sun;Yiming Qu;Jinghui Han;Bing Chen;Yi Zhao
本文利用一种新型的亚1 ns超快测量系统（UFM）对Al 2 O3/GeOx/Ge栅叠层Ge pMOSFET的快陷阱行为进行了研究和定量表征。通过改变开放
In this paper, fast trap behaviors in Ge pMOSFETs with Al2O3/GeOx/Ge gate-stack are evaluated and quantitatively characterized using a novel sub-1-ns ultrafast measurement (UFM) system. By changing the ope
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DOI：
10.1109/iedm.2011.6131630
发表时间：
2011-12
期刊：
2011 International Electron Devices Meeting
影响因子：
--
作者：
Rui Zhang;N. Taoka;Po-Chin Huang;M. Takenaka;S. Takagi
通讯作者：
Rui Zhang;N. Taoka;Po-Chin Huang;M. Takenaka;S. Takagi
DOI：
10.1109/iedm.2011.6131631
发表时间：
2011-12
期刊：
2011 International Electron Devices Meeting
影响因子：
--
作者：
A. Toriumi;C. H. Lee;S. K. Wang;T. Tabata;M. Yoshida;D. Zhao;T. Nishimura;K. Kita;K. Nagashio
通讯作者：
A. Toriumi;C. H. Lee;S. K. Wang;T. Tabata;M. Yoshida;D. Zhao;T. Nishimura;K. Kita;K. Nagashio
DOI：
10.1109/tdmr.2014.2354339
发表时间：
2014-09
影响因子：
2
作者：
G. Jiao;J. W. Lu;J. Campbell;J. Ryan;K. Cheung;C. Young;G. Bersuker
通讯作者：
G. Jiao;J. W. Lu;J. Campbell;J. Ryan;K. Cheung;C. Young;G. Bersuker
DOI：
10.1109/iedm.2016.7838519
发表时间：
2016-12
期刊：
2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
影响因子：
--
作者：
X. Yu;B. Chen;R. Cheng;Y. Qu;J. Han;R. Zhang;Y. Zhao
通讯作者：
X. Yu;B. Chen;R. Cheng;Y. Qu;J. Han;R. Zhang;Y. Zhao
DOI：
10.1109/iedm.2007.4419041
发表时间：
2007-12
期刊：
2007 IEEE International Electron Devices Meeting
影响因子：
--
作者：
T. Takahashi;T. Nishimura;L. Chen;S. Sakata;K. Kita;A. Toriumi
通讯作者：
T. Takahashi;T. Nishimura;L. Chen;S. Sakata;K. Kita;A. Toriumi