Precise Control of Nanowire Formation Based on Polysilane for Photoelectronic Device Application
Precise Control of Nanowire Formation Based on Polysilane for Photoelectronic Device Application
复制标题
基于聚硅烷的纳米线形成的精确控制用于光电器件应用
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S.Tagawa et al.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S.Tsukuda;S.Seki;A.Saeki;T.Kozawa;S.Tagawa et al.
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影响因子：
2.1
作者：
S. Toyoda;M. Fujiki;Hiroyuki Suzuki;N. Matsumoto
通讯作者：
N. Matsumoto
高 LET 辐射引起的抗蚀剂材料的正负反转
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
S.Abe;et al.;Tomoko Gowa Oyama;渡辺寛子;Tomoko Gowa Oyama;渡辺寛子;Tomoko Gowa Oyama;Tomoko Gowa Oyama;渡辺寛子;渡辺寛子;Tomoko Gowa Oyama
通讯作者：
Tomoko Gowa Oyama
辐射对聚硅烷中空穴漂移迁移率的影响
影响因子：
2.9
作者：
S. Seki;H. Shibata;Y. Yoshida;K. Ishigure;S. Tagawa
通讯作者：
S. Tagawa
结构缺陷对芳基取代聚硅烷空穴漂移迁移率的影响
DOI：
10.1080/13642819908218327
发表时间：
1999
期刊：
Philosophical Magazine Part B
影响因子：
--
作者：
S. Seki;Y. Yoshida;S. Tagawa;K. Asai;K. Ishigure;K. Furukawa;Michiya Fujikiand;N. Matsumoto
通讯作者：
N. Matsumoto
固体聚二甲基硅烷γ-辐射解中甲硅烷基的观察
影响因子：
2.9
作者：
S. Seki;S. Tagawa;K. Ishigure;K. Cromack;A. Trifunac
通讯作者：
A. Trifunac