Electron Channeling X-ray Microanalysis for Site Occupation in β-FeSi_2
Electron Channeling X-ray Microanalysis for Site Occupation in β-FeSi_2
复制标题
β-FeSi_2 中位点的电子通道 X 射线微分析
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Morimura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Morimura
部分填充方钴矿结构的电子通道X射线微量分析
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
Mikron
影响因子：
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作者：
M.Nakai;K.Nagai;Y.Murata;M.Morinaga;S.Matsuda;M.Kanno;T.Morimura
通讯作者：
T.Morimura
β-FeSi2 中位点占据的电子通道 X 射线微量分析
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
HRTEM Reports, CIA, Nagasaki University 6
影响因子：
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作者：
T.Morimura;M.Hasaka
通讯作者：
M.Hasaka
用于确定杂质位点占用的电子通道微量分析数据的统计分析
影响因子：
1.2
作者：
C. Rossouw;P. Turner;T. White;A. J. O'Connor
通讯作者：
A. J. O'Connor