Temperature Dependence of Raman Peak Shift in Single-Crystalline Si-Rich SiGe
Temperature Dependence of Raman Peak Shift in Single-Crystalline Si-Rich SiGe
复制标题
单晶富硅 SiGe 拉曼峰位移的温度依赖性
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Atsushi Ogura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Sho Sugawa;Ryo Yokogawa;Yasutomo Arai;Ishiro. Yonenaga;Atsushi Ogura
使用高空间分辨率拉曼光谱对高性能镶嵌栅极 p 金属氧化物半导体场效应晶体管进行沟道应变分析
影响因子：
3.2
作者：
M. Takei;D. Kosemura;K. Nagata;H. Akamatsu;S. Mayuzumi;S. Yamakawa;H. Wakabayashi;A. Ogura
通讯作者：
A. Ogura
影响因子：
2.5
作者：
Manganelli, C. L.;Virgilio, M.;Capellini, G.
通讯作者：
Capellini, G.
Ge1−xSix 合金晶体的直拉法生长
影响因子：
1.8
作者：
I. Yonenaga;A. Matsui;S. Tozawa;K. Sumino;T. Fukuda
通讯作者：
T. Fukuda