Development of a Very Low-Noise Cryogenic Preamplifier for Large-Area SiPM Devices
Development of a Very Low-Noise Cryogenic Preamplifier for Large-Area SiPM Devices
复制标题
开发用于大面积 SiPM 器件的极低噪声低温前置放大器
DOI：
10.1109/tns.2018.2799325
复制
发表时间：
2018
影响因子：
1.8
通讯作者：
Savarese, Claudio
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
D'Incecco, Marco;Galbiati, Cristiano;Giovanetti, Graham K.;Korga, George;Li, Xinran;Mandarano, Andrea;Razeto, Alessandro;Sablone, Davide;Savarese, Claudio
硅光电倍增管是开发大面积光传感器的理想材料。大型基于sipm的探测器需要低噪声前置放大器，以最大限度地提高传感器和读出电子器件之间的信号耦合。本文报道了一种低温下对单光子信号敏感的低噪声跨阻放大器的研制。该放大器用于读出1 cm2sipm，信噪比超过40。
Silicon photomultipliers (SiPMs) are an excellent candidate for the development of large-area light sensors. Large SiPM-based detectors require low-noise preamplifiers to maximize the signal coupling between the sensor and the read-out electronics. This paper reports on the development of a low-noise transimpedance amplifier sensitive to single-photon signals at cryogenic temperature. The amplifier is used to read-out a 1-cm2SiPM with a signal-to-noise ratio in excess of 40.
登录
查看更多内容
用于 PET 应用的 FBK 低后脉冲 NUV 硅光电倍增管的性能
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
A. Ferri;F. Acerbi;A. Gola;G. Paternoster;C. Piemonte;N. Zorzi
通讯作者：
N. Zorzi
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
F. Teyssandier;D. PRELE
通讯作者：
D. PRELE
SiGe 双极技术在低温下运行
DOI：
--
发表时间：
1994
期刊：
影响因子：
--
作者：
J. Cressler
通讯作者：
J. Cressler
基极掺杂对Si双极晶体管低温性能的影响
影响因子：
3.1
作者：
W. Dumke
通讯作者：
W. Dumke