Bi containing III-V quatemary alloy InGaAsBi grown by MBE
Bi containing III-V quatemary alloy InGaAsBi grown by MBE
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MBE 生长的含 Bi III-V 四元合金 InGaAsBi
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yoshimoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
G.;Feng;K.;Oe;M.;Yoshimoto
DOI：
10.1143/jjap.42.371
发表时间：
2003-02-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS
影响因子：
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作者：
Yoshida, J;Kita, T;Oe, K
通讯作者：
Oe, K
分子束外延生长的新型半导体 GaNAsBi 合金
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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作者：
M. Yoshimoto;Wei Huang;Y. Takehara;J. Saraie;A. Chayahara;Y. Horino;K. Oe
通讯作者：
K. Oe