Exciton localization effect in Mn-implanted GaN by photoluminescence measurements
Exciton localization effect in Mn-implanted GaN by photoluminescence measurements
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通过光致发光测量锰注入 GaN 中的激子局域化效应
DOI：
10.1016/j.physb.2008.11.199
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发表时间：
2009-05
影响因子：
2.8
通讯作者：
Shen, W. Z.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Meng, X. Y.;Zhang, Y. H.;Shen, W. Z.
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影响因子：
1.9
作者：
Tai-Yuan Lin;J. Fan;Yanguang Chen
通讯作者：
Tai-Yuan Lin;J. Fan;Yanguang Chen
影响因子：
3.2
作者：
L. Guo;W. Shen;Yu Zhang
通讯作者：
L. Guo;W. Shen;Yu Zhang
影响因子：
3.7
作者：
Yong‐Hoon Cho;G. Gainer;J. B. Lam;J. Song;W. Yang;W. Jhe
通讯作者：
Yong‐Hoon Cho;G. Gainer;J. B. Lam;J. Song;W. Yang;W. Jhe
影响因子：
1.9
作者：
M. Kane;A. Asghar;C. Vestal;M. Strassburg;J. Senawiratne;Z. J. Zhang;N. Dietz;C. Summers;I. Ferguson
通讯作者：
M. Kane;A. Asghar;C. Vestal;M. Strassburg;J. Senawiratne;Z. J. Zhang;N. Dietz;C. Summers;I. Ferguson
影响因子：
4
作者：
G. Thaler;M. Overberg;B. Gila;R. M. Frazier;C. Abernathy;S. Pearton;J. Lee;See‐Hyung Lee;Y. Park;Z. Khim;J. Kim;F. Ren
通讯作者：
G. Thaler;M. Overberg;B. Gila;R. M. Frazier;C. Abernathy;S. Pearton;J. Lee;See‐Hyung Lee;Y. Park;Z. Khim;J. Kim;F. Ren