Nitrogen isotopic effect in Ga15N epifilms grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy
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等离子体辅助分子束外延生长的 Ga15N 外延膜中的氮同位素效应
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
他4名
中科院分区：
文献类型：
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作者：
YZ Yao;T. Ohgaki;N. Fukata;他4名
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N同位素质量对氮化镓光致发光和阴极发光光谱的影响
DOI：
10.1140/epjb/e2004-00211-1
发表时间：
2004
期刊：
The European Physical Journal B - Condensed Matter and Complex Systems
影响因子：
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作者：
F. Manjón;M. A. Hernández;B. Marí;S. Li;C. Poweleit;A. Bell;J. Menéndez;M. Cardona
通讯作者：
M. Cardona
$sup 20$Ne 和 $sup 22$Ne 单晶的晶格常数和热膨胀中的同位素效应。
影响因子：
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作者：
D. Batchelder;D. Losee;R. Simmons
通讯作者：
R. Simmons
基于独立式 GaN 的热电特性和器件
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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作者：
S. Yamaguchi;Ryohei Izaki;Nakaba Kaiwa;A. Yamamoto
通讯作者：
A. Yamamoto
金刚石晶格常数的同位素依赖性。
DOI：
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发表时间：
1991
期刊：
Physical Review B (Condensed Matter)
影响因子：
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作者：
H. Holloway;K. Hass;M. Tamor;T. R. Anthony;W. Banholzer
通讯作者：
W. Banholzer
利用氢化物气相外延生长单晶 GaN 衬底
影响因子：
1.8
作者：
K. Naniwae;S. Itoh;H. Amano;K. Itoh;K. Hiramatsu;I. Akasaki
通讯作者：
I. Akasaki