Influence of growth and annealing conditions on photoluminescence of Ge/Si layers grown on oxidized Si surfaces
Influence of growth and annealing conditions on photoluminescence of Ge/Si layers grown on oxidized Si surfaces
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生长和退火条件对氧化 Si 表面上生长的 Ge/Si 层光致发光的影响
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M.Ichikawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A.Shklyaev;S-P.Cho;Y.Nakamura;N.Tanaka;M.Ichikawa
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Si 中刃位错的电子和弹性特性。
DOI：
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发表时间：
1995
期刊：
Physical Review B (Condensed Matter)
影响因子：
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作者：
Liu;Mostoller;Milman;Chisholm;Kaplan
通讯作者：
Kaplan
塑性变形硅晶体中的位错发光：位错交叉和氧修饰的影响
DOI：
10.1051/epjap:2004146
发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
作者：
E. Leoni;S. Binetti;B. Pichaud;S. Pizzini
通讯作者：
S. Pizzini
界面对在 SiO2 覆盖的 Si 表面上生长的 Ge 点的量子限制的影响
影响因子：
1.9
作者：
A. Shklyaev;M. Ichikawa
通讯作者：
M. Ichikawa
氧化Si(001)表面反射差光谱中振荡行为的观察
影响因子：
3.2
作者：
T. Matsudo;T. Ohta;T. Yasuda;M. Nishizawa;N. Miyata;S. Yamasaki;A. Shklyaev;M. Ichikawa
通讯作者：
M. Ichikawa
DOI：
10.1016/s1386-9477(02)00637-9
发表时间：
2003-03-01
影响因子：
3.3
作者：
Konle, J;Presting, H;Kibbel, H
通讯作者：
Kibbel, H