Deep-ultraviolet micro-Raman investigation of surface defects in a 4H-SiC homoepitaxially grown film
Deep-ultraviolet micro-Raman investigation of surface defects in a 4H-SiC homoepitaxially grown film
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4H-SiC 同质外延生长薄膜表面缺陷的深紫外显微拉曼研究
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发表时间：
2005
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通讯作者：
et. al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Tomita;et. al.
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DOI：
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发表时间：
1958
期刊：
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作者：
H. Philipp
通讯作者：
H. Philipp
Tsunenobu Kimoto：“高压 Au/6H-SiC 肖特基势垒二极管”Inst.Phys.Conf.Ser.137。
DOI：
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发表时间：
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期刊：
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作者：
通讯作者：
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SiC拉曼光谱中折叠纵向声子模式的选择性共振效应
DOI：
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发表时间：
2000
期刊：
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作者：
T. Tomita;M. Hundhausen;M. Baba;T. Suemoto;S. Saito;S. Nakashima
通讯作者：
S. Nakashima
用于电力电子器件应用的外延 4H-SiC 层的结构和电气特性
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
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作者：
L. Scaltrito;S. Porro;M. Cocuzza;F. Giorgis;C. Pirri;P. Mandracci;C. Ricciardi;S. Ferrero;C. Sgorlon;G. Richieri;L. Merlin;A. Castaldini;A. Cavallini;L. Polenta
通讯作者：
L. Polenta
使用硅烷或六甲基二硅烷/丙烷前驱体系统生长的 <0001> 4H-SiC 层的比较研究
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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作者：
C. Sartel;Carole Balloud;V. Souliere;S. Juillaguet;J. Dazord;Y. Monteil;J. Camassel;S. Rushworth
通讯作者：
S. Rushworth