Research Initiation: Investigation of Electrical ParametersIn Highly-Doped Silicon and Informed Device Design
Research Initiation: Investigation of Electrical ParametersIn Highly-Doped Silicon and Informed Device Design
研究启动：高掺杂硅电参数研究与信息器件设计
批准号：
8205236
负责人：
Dorothea Burk
金额：
$0.0万
依托单位：
依托单位国家：
美国
项目类别：
Standard Grant
财政年份：
1982
资助国家：
美国
项目状态：
已结题
起止时间：
1982-07-01 至 1984-12-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
海外基金
