Differential Optical Absorption Spectroscopy in Ge-Si Direct and Indirect Bandgap Superlattices

建议使用差分 光学吸收光谱， 研究确定 Ge-Si的基本带隙 应变超晶格 纳米结构。 首要原则 理论研究表明， 直接和间接超晶格 以前的实验， 研究已经给出了一些可信的 支持这些计算。 的 试验示范 Ge-Si直接带隙行为 纳米结构将开启一个 Si作为光子晶体的新前景 材料 的主要目标 这项研究旨在打造一种新的 基本理解本 超晶格之间的关系 结构和对称性 手，和光学性能上的 其他. 这一点的直接结果是 工作将是示范如何 晶体对称，人工的， 在生长过程中施加，可以使用 来控制光学特性 半导体和其他 材料.

The proposal is to use differential optical absorption spectroscopy to study and determine the nature of the fundamental bandgap in Ge-Si strained superlattice nanostructures. First principle theoretical studies show that both direct and indirect superlattices exist, and previous experimental studies have given some credible support to these calculations. The experimental demonstration of direct bandgap behavior in Ge-Si nanostructures will open up a whole new vista for Si as a photonic material. A principal goal of the proposed research is to forge a new fundamental understanding of the relationship between superlattice structures and symmetry on one hand, and optical properties on the other. A direct result of this work will be demonstration of how crystalline symmetry, artificially- imposed during growth, can be used to control the optical propertied of semiconductors and other materials.