Molecular beam epitaxy of magnetic manganese-doped semiconductors (B01)

GaMnAs的最佳工作量是在不受干扰的衬底上进行的，通过对铁磁半导体的本征值进行分析，可以得到更高的居里温度韦尔登。原位温度处理使得Si或C在体积和调制上都能被GaMnAs-Schichten韦尔登，从而使Ga Gitterplätzen上的Löcherkonzentration或Mn-Atome发生反应。

Durch optimiertes Wachstum von GaMnAs auf unterschiedlichen Substratorientierungen, durch Kodotierungsowie durch gezieltes Einbringen von Verspannung sollen die Eigenschaften des ferromagnetischenHalbleiters beeinflusst und so eine möglichst hohe Curie-Temperatur erreicht werden. In- undex-situ Temperbehandlung sowie Kodotierung mittels Si oder C soll in volumen- und modulationsdotiertenGaMnAs-Schichten verwendet werden um eine Erhöhung der Löcherkonzentration oder derMn-Atome auf Ga Gitterplätzen zu erreichen.