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Fundamentals of ion transport processes in resistive switching oxides (B03)

Fundamentals of ion transport processes in resistive switching oxides (B03)
电阻开关氧化物中离子传输过程的基础知识 (B03)
批准号：
202263209
负责人：
金额：
$0.0万
依托单位：
PGI-7: Elektronische Materialien
依托单位国家：
德国
项目类别：
Collaborative Research Centres
财政年份：
2011
资助国家：
德国
项目状态：
已结题
起止时间：
2010-12-31 至 2022-12-31
来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/202263209?language=en
关键词：
Fundamentalsiontransportprocessesresistive

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
在B3项目中，我们使用稳定同位素和飞行时间二次离子质谱仪(ToF-SIMS)进行分析，直接研究了氧化物薄膜和器件结构中的离子传输。实验扩散研究将与原子模拟(如经典分子动力学(MD)和动力学蒙特卡罗(KMC)模拟)相结合，以获得对这些氧化物中离子输运的广泛和深入的了解。
英文摘要
In Project B3 we examine ion transport directly in oxide thin films and device structures by using stable isotopes and analysis with time-of-flight secondary ion mass spectrometry (ToF-SIMS). Experimental diffusion studies will be combined with atomistic simulations (such as classical molecular dynamics (MD) and kinetic Monte Carlo (KMC) simulations) to obtain a broad and deep understanding of ion transport in these oxides.
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