Zuverlässige Lötverbindungen für die Leistungselektronik in regenerativen Energiesystemen
Zuverlässige Lötverbindungen für die Leistungselektronik in regenerativen Energiesystemen
批准号:
210393662
负责人:
Professor Dr.-Ing. Josef Lutz
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
2011
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2010-12-31 至 2015-12-31
中文摘要
Entscheidungenüber den Bau von GroúAnlagen künfTiger Energiesysteme(Z.B.离岸风电场)setzen Deren Zuverlässigkeit and Aschätzbaar Lebensdauer voraus.Eine Schlüsselkomponente Dieser Systeme Sind现代Halbleiter-Bauelemente auf IGBT-BASE(模块),Deren Zuverlässigkeit derzeit Weiger duch den Halbleiter alch die Aufbau-und Verbindungstechnik begrenzt ist.这句话的意思是:在L的书房里,你的名字是什么?Es Existieren derzeit Verschiedene Model zur Abschätzung der Lebensdauer von modulen der Leistungselektronik:Physiknahe Modelle auf Basis Af Basicator Lastwechseltest and经验ische Modelle basierend auf aktiven Lastwechseltest.在L的遗嘱中,我们可以看到,这是一项非常重要的工作。材料参数(hervor gerufen duch z.b.unterschiedliche Lötprozesse and-Prozesse and-Prozesse-Prozesse-Prozesse and Prozesse-Prozesse and Kind nnnen Daher für Neue Lotsystem keine verlässlichen Daten liefern.在设计项目的解决方案中,我们提出了被动测试、被动测试和被动测试。在Nutzung von材料学和纳米技术下,新的材料体系和纳米技术中的Aufbauend auf diese Ergebnisse Sollen in der Spaäteren阶段新的技术体系和纳米技术被发现。他说:“我不会让你的生活变得更美好。我们不能感觉到这一点,也不知道这是什么意思,因为它是一种材料和机制,是一种机械和机械。
英文摘要
Entscheidungen über den Bau von Großanlagen künftiger regenerativer Energiesysteme (z.B. Offshore-Windparks) setzen deren Zuverlässigkeit und abschätzbare Lebensdauer voraus. Eine Schlüsselkomponente dieser Systeme sind moderne Halbleiter-Bauelemente auf IGBT-Basis (Module), deren Zuverlässigkeit derzeit weniger durch den Halbleiter als durch die Aufbau- und Verbindungstechnik begrenzt ist. Ein Versagen tritt dabei zunehmend in den Lötverbindungen auf. Es existieren derzeit verschiedene Modelle zur Abschätzung der Lebensdauer von Modulen der Leistungselektronik: Physiknahe Modelle auf Basis passiver Lastwechseltests und empirische Modelle basierend auf aktiven Lastwechseltests. Die physiknahen Modelle bilden reale Einsatzprofile nicht ab, berücksichtigen Schädigungen in den Lötverbindungen nur von außen und erlauben keine Einbeziehung eines Temperaturgradienten im Modul. Die empirischen Modelle berücksichtigen keine Materialparameter (hervorgerufen durch z.B. unterschiedliche Lötprozesse und -profile), sind rein empirisch und können daher für neue Lotsysteme keine verlässlichen Daten liefern. In diesem Projekt soll, ausgehend von einem physiknahen Modell für passive Tests, ein weitergehendes physiknahes Modell für aktive Tests und damit reale Einsatzprofile entwickelt werden. Aufbauend auf diese Ergebnisse sollen in der späteren Phase neue Lotsysteme unter Nutzung von Materialien der Nanotechnologie für erhöhte Zuverlässigkeit bereitgestellt werden.SynergieDurch die Zusammenarbeit von Wissenschaftlern der Leistungselektronik und der Werkstoffwissenschaft ergeben sich wichtige Synergien. Die Kompetenzen der Leistungselektroniker liegen auf dem Gebiet der Bauelemente, der entstehenden Verlustwärme, der Wärmeabfuhr und der entstehenden thermischen Zyklen. Über die werkstoffwissenschaftliche Betrachtung können die thermisch-mechanischen Wechselwirkungen mit Hilfe der materialbezogenen Grundlagen die Schädigungsmechanismen erklärt und die Möglichkeiten einer Reduzierung der Schäden erarbeitet werden.
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会议论文
Methods for virtual junction temperature measurement respecting internal semiconductor processes
考虑内部半导体工艺的虚拟结温测量方法
DOI:
10.1109/ispsd.2015.7123455
发表时间:
2015
期刊:
2015 IEEE 27th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD)
影响因子:
--
作者:
[C. Herold, J. Franke, R. Bhojani, A. Schleicher, J. Lutz]
通讯作者:
J. Lutz
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