SiC-Schalter im Matrixumrichter

我们的贷款人Eergiespeicherkomponenten Wie Z.B.Elektrolytkondenatoren and Drosseln Ein Hans Leistungsdichtete潜力巨大。Neben der Leistungsdichtesteigerung fordert der Anwender，现代，kompakte Umrichter direkt am Einsatzort(z.B.im Lagerschild einer elektrischen Maschine，im Motorraum eines Fahrzeugs Usw.)这就是我要说的。他说：“这是一件非常重要的事情。他说：“这是一件很重要的事情，因为它是一件很重要的事情，因为它是一件很重要的事情。在jüngster Zeit是一种新的材料和技术：Keine Rück ströme der Speicherladungsfreien Schottky-Dioden，kein Tailstrom be z.B.unipolaren JFETs，gerge leitspannungsabfälle bebeHohen Sperrspannungen Sowie sehr steile spannungs-und Stromflanken Schaltvorgängen。从定性和定量两个方面对矩阵进行了定性和定量的分析。这是一种新型的半导体半导体材料，它是一种新型的半导体材料，它是一种新型的材料。这是一个非常重要的问题，因为这是一个非常重要的问题，也是一个重要的问题。

Der Matrixumrichter besitzt wegen fehlender Energiespeicherkomponenten wie z.B. Elektrolytkondensatoren und Drosseln ein hohes Leistungsdichtepotential. Neben der Leistungsdichtesteigerung fordert der Anwender, moderne, kompakte Umrichter direkt am Einsatzort (z.B. im Lagerschild einer elektrischen Maschine, im Motorraum eines Fahrzeugs usw.) zu integrieren. Die Umrichter müssen dann zwangsläufig die dort auftretenden hohen Temperaturen beherrschen. Da der Matrixumrichter im wesentlichen auf seine Halbleiterschalter reduziert werden kann, wird gerade diesem Umrichtertyp eine hohe Bedeutung beigemessen, den Forderungen des zukünftigen Marktes gerecht zu werden. In jüngster Zeit werden immer häufiger die Vorteile des neuen Halbleitermaterials SiC gegenüber der etablierten Si-Technik deutlich: Keine Rückströme der Speicherladungsfreien Schottky-Dioden, kein Tailstrom bei z.B. unipolaren JFETs, geringe Leitspannungsabfälle bei hohen Sperrspannungen sowie sehr steile Spannungs- und Stromflanken bei Schaltvorgängen. Das Vorhaben möchte das sich somit ergebende qualitative und quantitative Verbesserungspotential des Matrixumrichters durch Einsatz von SiC-Halbleiterbauelementen untersuchen. Dabei soll ein Vergleich verschiedener Halbleiterkombinationen (z.B. auch Si-IGBT mit SiC-Schottky-Freilaufdiode) unter den auftretenden Beanspruchungen der komplexen Kommutierungsabläufe im Matrixumrichter erfolgen. Aussagen zu den auftretenden Verluste ermöglichen eine quantitative Einordnung von Si- und SiC-basierten Matrixumrichtern hinsichtlich der Leistungsdichte, der Betriebsführung sowie der damit verbundenen Netz- und Lastanbindung.