Monolithisch integrierter bidirektionaler Schalter auf Silizium-Basis

Innerhalb des DFG-SPP“Halbleiterbauelemente hoher Leistung”wurde im Teilprojekt“Hochsperrende zweirichtungsentile”der TU-Braunschweig (Gruppe Prof. Sittig) eine neue bauelementstrucktur （MOS-gesteuerter bidirecktionaler Schalter (MBS) simuliert and patentiert）。德国工业大学-德国亚琛工业大学技术研究中心，研究项目库540/43-1 <e:1>，德国技术研究中心Möglichkeiten。[2]李志刚，李志刚，李志刚，等。基于硅基<s:1>极端荧光光谱法的单晶半导体集成与双晶半导体（MBS）研究。德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国Der MBS soll - mit doppelsetitiger substrate - prozessiung and nano- technology - auf intrinsischem si - substrate realisiert werden, um die prognostizierten hervorrgenen elektrischen Eigenschaften des Schaltelements （Leckströme: 10-4 A/cm2 bei T=400K, sperspannung: bis zu 6.5kV bei Durchlassspannungen kleiner 1V fbr Stromdichten von 200 A/cm2）最优性能，验证和评价（können）。风力发电，风力发电，风力发电，风力发电，风力发电，风力发电，风力发电，风力发电，风力发电bestätigt风力发电können。德国工业大学-布伦瑞克大学。

Innerhalb des DFG-SPP "Halbleiterbauelemente hoher Leistung" wurde im Teilprojekt "Hochsperrende Zweirichtungsventile" der TU-Braunschweig (Gruppe Prof. Sittig) eine neue Bauelementstruktur (MOS-gesteuerter bidirektionaler Schalter (MBS) simuliert und patentiert. Auf dieser Ausgangsbasis erfolgte am IHT-RWTH Aachen eine Vorlaufstudie im Rahmen des DFG-Projekts Ku 540/43-1 über technologische Möglichkeiten zur Umsetzung dieses Konzepts.Ziel dieses Projektes ist die Erforschung monolithisch integrierter bidirektionaler Schalter (MBS) auf Silizium-Basis für extrem verlustarme und hochsperrende Zweirichtungsventile der Leistungselektronik. Der Einfluss materialspezifischer Aspekte sowie Geometrie- und Herstellungsparameter sollen im Detail untersucht werden, um das physikalische Wirkprinzip des Bauelementes eindeutig zu klären und zu verstehen. Der MBS soll mit doppelseitiger Substrat-Prozessierung und nano-technologischen Verfahren auf intrinsischem Si-Substrat realisiert werden, um die prognostizierten hervorragenden elektrischen Eigenschaften des Schaltelements (Leckströme: 10-4 A/cm2 bei T=400K, Sperrspannung: bis zu 6.5kV bei Durchlassspannungen kleiner 1V für Stromdichten von 200 A/cm2) optimal erforschen, verifizieren und evaluieren zu können. Es wird erwartet, dass die prognostizierten elektrischen Daten anhand von realen Bauelementmustern bestätigt werden können. Die Forschungsarbeiten erfolgen in enger Kooperation mit dem Simulationspartner TU-Braunschweig.