Monolithisch integrierter bidirektionaler Schalter auf Silizium-Basis
单片集成硅基双向开关
基本信息
- 批准号:5439337
- 负责人:
- 金额:--
- 依托单位:
- 依托单位国家:德国
- 项目类别:Research Grants
- 财政年份:2004
- 资助国家:德国
- 起止时间:2003-12-31 至 2006-12-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Innerhalb des DFG-SPP "Halbleiterbauelemente hoher Leistung" wurde im Teilprojekt "Hochsperrende Zweirichtungsventile" der TU-Braunschweig (Gruppe Prof. Sittig) eine neue Bauelementstruktur (MOS-gesteuerter bidirektionaler Schalter (MBS) simuliert und patentiert. Auf dieser Ausgangsbasis erfolgte am IHT-RWTH Aachen eine Vorlaufstudie im Rahmen des DFG-Projekts Ku 540/43-1 über technologische Möglichkeiten zur Umsetzung dieses Konzepts.Ziel dieses Projektes ist die Erforschung monolithisch integrierter bidirektionaler Schalter (MBS) auf Silizium-Basis für extrem verlustarme und hochsperrende Zweirichtungsventile der Leistungselektronik. Der Einfluss materialspezifischer Aspekte sowie Geometrie- und Herstellungsparameter sollen im Detail untersucht werden, um das physikalische Wirkprinzip des Bauelementes eindeutig zu klären und zu verstehen. Der MBS soll mit doppelseitiger Substrat-Prozessierung und nano-technologischen Verfahren auf intrinsischem Si-Substrat realisiert werden, um die prognostizierten hervorragenden elektrischen Eigenschaften des Schaltelements (Leckströme: 10-4 A/cm2 bei T=400K, Sperrspannung: bis zu 6.5kV bei Durchlassspannungen kleiner 1V für Stromdichten von 200 A/cm2) optimal erforschen, verifizieren und evaluieren zu können. Es wird erwartet, dass die prognostizierten elektrischen Daten anhand von realen Bauelementmustern bestätigt werden können. Die Forschungsarbeiten erfolgen in enger Kooperation mit dem Simulationspartner TU-Braunschweig.
Innerhalb des DFG-SPP“Halbleiterbauelemente Hoher Leistung”wurde im Teilprojekt“Hochperrende Zweirichtungsvenle”der TU-Braunschweig(Gruppe教授Sittig)eine Neue Bauelementstrukut(MOS-gesteuerter bidirektionaler Schalt(MBS)Simiert and Patentiert.AUF DUF DUSSIONES ASBASE ERFLOGTE AHTH-RWTH Aachen eine Vorlafstudie im Rahman des DFG-Projekts Ku 540/43-1über Technologische Möglichkeiten zur Umsetzung dieses Konzepts.Ziel Dieses es Projektes ist die Erforschung monolithisch整体式(MBS)auf f f Silizium-base für Extrem Verlustarme and Hochperrende ZweirichTungsvenle der Leistungselektronik.在此基础上,提出了一种新的几何形状和几何参数,并对其进行了详细分析。在MBS soll MIT掺杂衬底和纳米技术的基础上,我们得到了最优的衬底:10-4A/cm2,Sperrspannung:BIS zu 6.5kVbe Durchlassspannungen Kleiner 1V für Stromdichten von 200 A/cm2)。这是最好的预测,也是最好的预测。作者声明:Die Forschungsarbeiten erfolgen in Enger Kooperation MIT DEM SimulationsPartner TU-Braunschweig.
项目成果
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Dr. Bernd Spangenberg其他文献
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