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Boreinbau in Galliumphosphid und Galliumindiumphosphid: Quantenchemische Untersuchungen zu Bildung, Stabilität sowie strukturellen und elektronischen Eigenschaften der Mischkristalle

Boreinbau in Galliumphosphid und Galliumindiumphosphid: Quantenchemische Untersuchungen zu Bildung, Stabilität sowie strukturellen und elektronischen Eigenschaften der Mischkristalle
硼掺入磷化镓和磷化镓铟:混合晶体的形成、稳定性以及结构和电子性质的量子化学研究
批准号:
21910028
负责人:
Privatdozent Dr. Axel Schindler, since 2/2008
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
2006
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2005-12-31 至 2008-12-31

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
Ternäre and Quarternäre III-V-Halbletercierungen MIT finiert einstellbner Energielücke und Gitterkonstante haben gen gine groçe Bedeutung ALS AusangsMaterial für Opopelektronische Bauelemente(Halbleteraser,Leuchtdioden,Solarzellen)。在这项工程中,我们将从以下几个方面入手:实验和实践;理论和实践;理论;他说:“这是一项工程,也是一项事业发展的工程,也是一项重要的事业。在此基础上,我们进行了一系列相关的试验,以期达到稳定的目的。在ABHänGigkeit von der Zusammensetzung和der Strukturder Mischkristalle的Bandlücken被定义为Rahman der Zur Zeit Bestmöglichen Methode(GW-Näherung)berechnet。金属组织外延(MetallOrganche Gathasenepetaxie)的机制是从一般的分子模型中得到的,不同的是。在此基础上,提出了一种有效的战略规划。
英文摘要
Ternäre und quarternäre III-V-Halbleiterlegierungen mit definiert einstellbarer Energielücke und Gitterkonstante haben eine große Bedeutung als Ausgangsmaterial für optoelektronische Bauelemente (Halbleiterlaser, Leuchtdioden, Solarzellen). In diesem Projekt sollen grundlegende theoretische Untersuchungen zu den borhaltigen Halbleiterlegierungen BGaP und BInGaP durchgeführt werden, über deren Eigenschaften bisher wenig bekannt ist: Experimentelle Untersuchungen zu diesen für die Optoelektronik vielversprechenden Systemen stehen in den Anfängen; theoretische Untersuchungen wurden bisher noch nicht veröffentlicht. Ziel des Projektes ist es, Aussagen zu den Bildungsmechanismen, der Stabilität sowie zu strukturellen und elektronischen Eigenschaften dieser Legierungen zu machen. Für die Untersuchung der Stabilität von Oberflächen- und Volumenstrukturen werden periodische Dichtefunktionalberechungen an großen Superzellen, die den Zugang zu experimentell relevanten Konzentrationsbereichen erlauben, durchgeführt. Bandlücken in Abhängigkeit von der Zusammensetzung und der Struktur der Mischkristalle werden im Rahmen der zur Zeit bestmöglichen Methode (GW-Näherung) berechnet. Reaktionsmechanismen der MOVPE (Metallorganische Gasphasenepitaxie) mit verschiedenen Precursormolekülen werden auf der Grundlage molekularer Clustermodelle im Dichtefunktionalformalismus untersucht. Aus prozessrelevanten Daten (Phasenstabilitätsdiagramme in Abhängigkeit von den chemischen Potentialen der Reservoirspezies sowie Reaktionsenergien und Aktivierungsenergien) sollen effektive Strategien für die Prozessführung bei der MOVPE abgeleitet werden.
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会议论文
Boron and indium incorporation in GaP(0 0 1) surfaces by vapour deposition: Density-functional supercell calculations of the surface stability
通过气相沉积将硼和铟掺入 GaP(0 0 1) 表面:表面稳定性的密度泛函超晶胞计算
DOI: 10.1016/j.susc.2009.06.003
发表时间:
期刊: Surface Science
影响因子: 1.9
作者: [A. Jenichen, C. Engler]
通讯作者: C. Engler
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