Untersuchung der atomaren Diffusion und der Bildung diffusionsinduzierter Defekte in Galliumnitrid, Galliumphosphid und Galliumantimonid

点击翻译按钮获取中文摘要

Ziel des gemeinsamen Vorhabens ist es, Untersuchungen zur Diffusion Zn und S und zur Bildung von diffusionsinduzierten Defekten in den technologisch bedeutsamen Verbindungshalbleitern GaN, GaP und gab durchzuführen, um zu einem Verständnis der bei der Diffusion beteiligten Defekte und Transportmechanismen zu gelangen und eine Grundlage für die quantitative Beschreibung der Dotierprofile zu erarbeiten. In Münster sollen Untersuchungen der Dotierstoffdiffusion mit den Methoden der elektrochemischen Kapazitäts-Spannungs-Messung und der Sekundärionen-Massenspektrometrie (in Kooperation mit der Universität Göteborg) durchgeführt werden und mittels numerischer Simulationen für Diffusionsbedingungen ohne Defektbildung analysiert werden. In Kiel sollen die Defektbildung, die Entwicklung der Defektstruktur und die Wechselwirkung von Dotierstoffen mit Defekten mittels analytischer Transmissionselektronenmikroskopie, Rasterelektronenmikroskopie und Röntgendiffraktometrie untersucht werden und mittels numerischer Simulationen für Diffusionsbedingungen mit Defektbildung analysiert werden. Die Untersuchungen lassen ein umfassendes Verständnis der Dotierstoffdiffusion und der Transportmechanismen erwarten und schaffen eine Grundlage für quantitative Prozeßsimulationen in der Herstellung von Elektronikbauelementen.