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Untersuchung der atomaren Diffusion und der Bildung diffusionsinduzierter Defekte in Galliumnitrid, Galliumphosphid und Galliumantimonid

氮化镓、磷化镓和锑化镓中原子扩散和扩散诱导缺陷形成的研究

基本信息

批准号：
5123278
负责人：
Professor Dr. Nicolaas A. Stolwijk (†)
金额：
--
依托单位：
Institut für Materialphysik
依托单位国家：
德国
项目类别：
Research Grants
财政年份：
1998
资助国家：
德国
起止时间：
1997-12-31 至 2002-12-31
项目状态：
已结题

来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5123278?language=en
关键词：
Untersuchung der atomaren Diffusion und

项目摘要

Ziel des gemeinsamen Vorhabens ist es, Untersuchungen zur Diffusion Zn und S und zur Bildung von diffusionsinduzierten Defekten in den technologisch bedeutsamen Verbindungshalbleitern GaN, GaP und gab durchzuführen, um zu einem Verständnis der bei der Diffusion beteiligten Defekte und Transportmechanismen zu gelangen und eine Grundlage für die quantitative Beschreibung der Dotierprofile zu erarbeiten. In Münster sollen Untersuchungen der Dotierstoffdiffusion mit den Methoden der elektrochemischen Kapazitäts-Spannungs-Messung und der Sekundärionen-Massenspektrometrie (in Kooperation mit der Universität Göteborg) durchgeführt werden und mittels numerischer Simulationen für Diffusionsbedingungen ohne Defektbildung analysiert werden. In Kiel sollen die Defektbildung, die Entwicklung der Defektstruktur und die Wechselwirkung von Dotierstoffen mit Defekten mittels analytischer Transmissionselektronenmikroskopie, Rasterelektronenmikroskopie und Röntgendiffraktometrie untersucht werden und mittels numerischer Simulationen für Diffusionsbedingungen mit Defektbildung analysiert werden. Die Untersuchungen lassen ein umfassendes Verständnis der Dotierstoffdiffusion und der Transportmechanismen erwarten und schaffen eine Grundlage für quantitative Prozeßsimulationen in der Herstellung von Elektronikbauelementen.

在GaN、GaP和Gab的扩散抑制和输运机制的研究中，对Zn和S的扩散以及扩散抑制效应的影响进行了研究，并建立了一个定量分析扩散抑制效应和输运机制的基础。在Münster中，使用电化学Kapazitäts-Spannungs-Messung和Sekundärionen-Massenspektrometrie方法（与Göteborg大学合作）通过韦尔登和mittels numerischer Simulationen für Diffusionsbedingungen ohne Defektbildung analysiert韦尔登对Dotierstoffdiffusion进行了研究。在基尔sollen die Defektbildung，die Entwicklung der Defektstruktur und die Wechselenkung von Dotierstoffen mit Defekten mittels transmissionselekmikroskopie，Rastektronenmikroskopie und Röntgendffraktometrie untersucht韦尔登and mittels numerischer Simulationen für Diffusionsbedingungen mit Defektbildung analysiert韦尔登. Die Untersuchungen lassen ein umfassendes Verständnis der Dotierstoffdiffusion und der Transportmechanismen erwarten und schaffen eine Grundlage für quantitative Prozeßsimulationen in der Herstellung von Elektronikbauelementen.