Probing predicted topological surface states of correlated transitionmetal oxides

Zil des Projekts Aus DEM Bereich Neue Materialent and Konzepte ist die synffikation and Identifikation erster oxidischer korrelerter topology ischer Isolatoren.我们的雄心壮志是，我们不能在苏赫通的工厂里找到新的工作岗位和工作岗位，而不是在原子技术中心工作。一所奥格斯堡大学的合成：Einkristalle von Honigwabenúberangsmetaloxiden A_2TO_3 MIT A=Na，Li and T=ir Order Rh Sowie Dünnfilme von Geordneten Davpelperovskitiridaten aubase von SrIrO_3.这是一种新型的材料和材料，它是一种新型的材料，它的主要成分是钠锂和氢氧化物。Für das Perovskit SrIrO_3将在ZickzackPotential für die Realisierung eines Topologischen Isolatorzus Stand Benötigt.在外延Dünnnfime des Geordneten dopelperovskits Sr2IrTO6(T=Coder Rh)auf(111)SrTiO_3衬底Reisiert中生长。一所大学和一所大学不能理解这些细节，这是一种特殊的技术和技术。超高真空(UHV)和超高电压(UHV)是一种新的超高真空技术。在(4K)的温度下，我不再需要你的帮助，也不需要你的帮助。Laseranregung groüt insiität verwenden wir Verschiebung Spektralen Gewicters and zur Untersusuung der Electrktronischen Strukut im Photoangeregen Zustand.Zusätzlich是现场的一条线，它来自于世界各地，并包括(I)一种新的原子位置和(Ii)一种有效的方法。

Ziel des Projekts aus dem Bereich Neue Materialien und Konzepte ist die Synthese und Identifikation erster oxidischer korrelierter topologischer Isolatoren. Um dieses ambitionierte Ziel zu erreichen, kombinieren wir unsere Erfahrungen in der Züchtung hochwertiger Einkristalle und Dünnfilme mit der in atomar aufgelöster Rastertunnelmikroskopie und Spektroskopie inklusive Oberflächendeposition und Laserlichtanregung. An der Universität Augsburg synthetisieren wir Einkristalle von HonigwabenÜbergangsmetalloxiden A2TO3 mit A=Na, Li und T=Ir oder Rh sowie Dünnfilme von geordneten Doppelperovskitiridaten auf Basis von SrIrO3. Um Honigwabenmaterialen in einen korrelierten topologischen Isolatorzustand zu treiben, kontrollieren wir das Verhältnis der Stärke der Korrelationen zur Hüpfwahrscheinlichkeit durch Na-Li und Ir-Rh Substitutionen. Für das Perovskit SrIrO3 wird ein Zickzackpotential für die Realisierung eines topologischen Isolatorzustands benötigt. Dies wird in epitaktischen Dünnfilmen des geordneten Doppelperovskits Sr2IrTO6 (T=Co oder Rh) auf (111) SrTiO3 Substrat realisiert. An der Universität Göttingen führen wir eine detaillierte Untersuchung der Oberflächenstruktur und elektronischen Eigenschaften mittels Rastertunnelmikroskopie und Spektroskopie (STM und STS) mit atomarer Auflösung bei tiefen Temperaturen durch. Einkristalle werden im Ultrahochvakuum (UHV) gespalten, während Dünnfilmoberflächen durch Ausheizen im UHV gereinigt werden. Um Tunneln bei sehr tiefen Temperaturen (4 K) zu ermöglichen, wird Laseranregung geringer Intensität verwandt. Laseranregung großer Intensität verwenden wir zur Verschiebung spektralen Gewichts und zur Untersuchung der elektronischen Struktur im photoangeregten Zustand. Zusätzlich werden wir in-situ Na, Li oder K Atome auf der Oberfläche verdampfen, welches (i) eine Füllung der leeren Atompositionen auf der rekonstruierten Oberfläche und (ii) eine effektive Dotierung mit Elektronen ermöglicht.