Gepulste Plasma-Epitaxie-Anlage

“基于GaN(GaN)Wie LED的光电学Bauelemente Auf by von GaN(GaN)Wie LED与Laserdioden für Neuartige Beamer beden heutzum zum weitüberwiegenden teil MIT der MetallOrganchen Gassiasenepteraxie(MOVPE)hersterellt。这是一种大批量生产的方法，但不适用于其他国家。Ein neuarties Ep itaxieverfahren auf base einer Gepulsten等离子体-Ep itaxie eröffnet für die GaN-Technologie ein Ganz Neues Forschungsfeld.这是一种新的能量扩散方式，它的能量来自于等离子体，而不是等离子体。它是这样一种外延，即它是一种由InGan-Schichten Mit Sehr Hohenum-Konzentationen和trtzdem sehr in ingan-konzentationen and trtzdem sehr guten sehr guten optischen en Eigenschaften erlabt.等离子体-外延等离子体-外延-外延技术的潜力。Anlage soll teil des“Epi Capability Center”am Institut für HalbleiterTechnik Am Instituted für ein Breit Angeletes ForschungsProgramm zur Entwicksoll teil des“Epi Capency Center”am Institut für and die base für e in Breit Angeletes ForschungsProgramm zur Entwicksoll teil des“Epi Capency Center”am Institut für HalbleterTechnik Am Institut für Ein Breit Angeltes ForschungsProgramm zur Entwickung等离子体-Gestützter Herstellungsverfahren für die gan-epitaxie wden.

„Optoelektronische Bauelemente auf der Basis von Galliumnitrid (GaN) wie LEDs für die Beleuchtungstechnik oder Laserdioden für neuartige Beamer werden heute zum weit überwiegenden Teil mit der Metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE) hergestellt. Diese Herstellungsmethode hat für die Massenproduktion auf großen Flächen allerdings erhebliche Nachteile. Ein neuartiges Epitaxieverfahren auf der Basis einer gepulsten Plasma-Epitaxie eröffnet für die GaN-Technologie ein ganz neues Forschungsfeld. Die notwendigen Energien für die Oberflächendiffusion werden dort gezielt an der Oberfläche über die auftreffenden energiereichen Ionen im Plasma angeboten, ohne dass es zu Plasma-Schädigungen kommen sollte. Die Epitaxie kann sogar bei Raumtemperatur durchgeführt werden, was auch die Herstellung von InGaN-Schichten mit sehr hohen Indium- Konzentrationen und trotzdem sehr guten optischen Eigenschaften erlaubt. Zur Erforschung des Potentials der gepulsten Plasma-Epitaxie für die Herstellung GaN-basierter optoelektronischer Bauelemente wird hiermit eine entsprechend ausgerüstete gepulste Plasma-Epitaxieanlage beantragt. Die Anlage soll Teil des „Epi Competence Centers“ am Institut für Halbleitertechnik werden und die Basis für ein breit angelegtes Forschungsprogramm zur Entwicklung Plasma-gestützter Herstellungsverfahren für die GaN-Epitaxie werden.“