Erzeugung elektrisch effektiver Heteroübergänge im Schichtsystem (001)GaAs/Cu(InGa)Se2/ZnS(Se) durch Koverdampfung

在铜(Inga)Se2-Basierenden Solarzellen notwendige p/näberang das Aufbringen einer Cds-Pufferschicht realisiert中使用Gegenwärtig wird der。这是一种非常好的选择，因为它是一种多晶体的锌，而不是锌的表面。其效果为18%[1-6]，锌为11.6%[7]，12%和15%[8，9]，13%为15.7%[6]。在CBD和MOVPD[11]Eingesetzt的基础上，CVD[10]和CVD[10]被排除在外。Das Aufbringen der Polykristallinen Cu(Inga)Se2-Absorberschicht erfolgt zuvor in Einem 3-Stufenprozeüdhch Koverdampfung[12-16].这是一种新型的多晶硅材料。这是一种多晶体的异质结构，它由11%和14%的晶体材料组成。[8，17]格泽伊特。[中英文摘要][晓雨-0920交稿]Bisher nitht berichtet Worden.在Einkristallinen(001)GaAs/Cu(InGa)Se2/ZnS(Se)-Doppelheterostrukturen sein中，User Zil soll Deshalb de Herstellung eines是有效的帮派。从现在起，我们就可以看到他们的产品和产品，而这些产品都是他们所不能接受的。在此基础上，我们将在当地整合最优系统。I/U-Charakteristik soll die wirksamkeit des p/n-ber帮s zwitchen Absorber and ZnS-Puffer Prüfen.从Gitterangleichung到Differschicht，再从Gitterangleichung到Dem tieferen Verständennis Dm tieferen Verständnis Dm tieferen Verständon DEM Dm tieferen Verständnis Dm Gitterangleichung and der InterspopendsProzesse an den inneren Grizflächen Gaas(Inga)Se2 and Cu(Inga)Se2/ZnS(Se)-Pufferschicht.

Gegenwärtig wird der in Cu(InGa)Se2-basierenden Solarzellen notwendige p/nÜbergang durch das Aufbringen einer CdS-Pufferschicht realisiert. Zunehmend wird aber versucht, das CdS z.B. durch polykristallines ZnS oder ZnSe sowie ZnInxSey zu ersetzen. Damit konnten bereits Effizienzen bis zu 18 % [1-6], bei Verwendung von ZnSe- bzw. ZnInxSey-Pufferschichten 11.6% [7], 12% und 15% [8,9] sowie 13% bis 15.7% [6] erreicht werden. Zur Abscheidung der Pufferschicht werden die Koverdampfung, CVD [10] aber auch CBD und MOVPD [11] eingesetzt. Das Aufbringen der polykristallinen Cu(InGa)Se2-Absorberschicht erfolgt zuvor in einem 3-Stufenprozeß durch Koverdampfung [12-16]. Über Versuche, das gesamte polykristalline Doppelheteroschichtsystem in einem einzigen Prozess aufzubringen, wird kaum berichtet. Dass auch so polykristalline Doppelheterostrukturen mit Effizienzen zwischen 11% und 14% herstellbar sind, haben Ohtake et al. [8,17] gezeigt. Über einkristalline Doppelheterostrukturen, d.h., epitaktisches Wachstum vom Absorber und ZnS-Puffer, ist bisher nicht berichtet worden. Unser Ziel soll deshalb die Herstellung eines effektiven p/nÜbergangs in einkristallinen (001)GaAs/Cu(InGa)Se2/ZnS(Se)-Doppelheterostrukturen sein. Der Aufbau einer Koverdampfungsapparatur und die Schichtcharakterisierung sollen unter dem Aspekt der Realisierung von strukturell und chemisch scharfen Heteroübergängen durchgeführt werden. Die Verfolgung der Schichtbildung wird in-situ durch Integration eines optischen Meßsystems ermöglicht. Die I/U-Charakteristik soll die Wirksamkeit des p/n-Übergangs zwischen Absorber und ZnS-Puffer prüfen. Die Untersuchungen dienen überdies dem tieferen Verständnis der Gitterangleichung und der Interdiffusionsprozesse an den inneren Grenzflächen GaAs/Cu(InGa)Se2 und Cu(InGa)Se2/ZnS(Se)-Pufferschicht.