Clustersystem für Niedertemperatur-Schichtabscheidung und Grenzflächenmodifikation

Zukünftige Elektronik wird durch maßgeschneiderte Schichten bestimmt韦尔登。这种控制必须在一个原子能机构里进行。Selbst innerhalb einer einzigen Atomlage müssen gezielt Fremdatome eingebracht韦尔登können.在没有温度影响的情况下，必须对建筑物进行热处理。Obwohl sich bereits heute Gatestapel eines MOS-Transistors dünne Schichtfolgen von High-k-Dielektrika und metallischen Gatelektroden mittels CVD- und ALD-Verfahren realisieren lassen，versagen jedoh diese Ansätze，wenn es gilt，die Grenzflächen so zu gestalten，dass die Beweglichkeit der Ladungsträger hoch bleibt，我们的工作并不像费米尔维尔那样-用针固定韦尔登，并将其固定在甲板上。Mit dem beantragten Großgerät soll die gezielte Modifikation von Grenzflächen zwischen Metall/Halbleiter，Metall/Dielektrikum und Dielektrikum/Halbleiter mit neuen Ansätzen untersucht韦尔登. Dazu gehört der Einquirneuer Präkursoren，die In-situ-Absättigung von Haftstellen und die Grenzflächenmodifikation durch Fremdatomeinbau sowie die Abscheidung and derweitig nicht zugänglicher photokatalytisch aktiver Halbleiterschichten.在这种情况下，”带有无源材料的Schichtsysteme“将成为一个更好的研究点，从而使该设备能够正常工作。

Zukünftige Elektronik wird durch maßgeschneiderte Schichten bestimmt werden. Schichtkontrolle muss dabei auf einzelne Atomlagen genau erfolgen. Selbst innerhalb einer einzigen Atomlage müssen gezielt Fremdatome eingebracht werden können. Gleichzeitig muss der Schichtaufbau bei niedrigen Temperaturen erfolgen. Obwohl sich bereits heute Gatestapel eines MOS-Transistors dünne Schichtfolgen von High-k-Dielektrika und metallischen Gateelektroden mittels CVD- und ALD-Verfahren realisieren lassen, versagen jedoch diese Ansätze, wenn es gilt, die Grenzflächen so zu gestalten, dass die Beweglichkeit der Ladungsträger hoch bleibt, Austrittsarbeiten nicht durch so genanntes Fermilevel-Pinning überdeckt werden und die Zuverlässigkeit der Bauelemente durch hohe Haftstellendichten herabgesetzt wird. Mit dem beantragten Großgerät soll die gezielte Modifikation von Grenzflächen zwischen Metall/Halbleiter, Metall/Dielektrikum und Dielektrikum/Halbleiter mit neuen Ansätzen untersucht werden. Dazu gehört der Einsatz neuer Präkursoren, die In-situ-Absättigung von Haftstellen und die Grenzflächenmodifikation durch Fremdatomeinbau sowie die Abscheidung anderweitig nicht zugänglicher photokatalytisch aktiver Halbleiterschichten. Die Anwendung auf 'schaltbare" Schichtsysteme mit ähnlichen Materialien wird ein weiterer Forschungsschwerpunkt sein, den diese Anlage erlauben wird.