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Substratgebundene Nanostrukturen durch Diffraktionsmaskenprojektions-Laserablation

Substratgebundene Nanostrukturen durch Diffraktionsmaskenprojektions-Laserablation
通过衍射掩模投影激光烧蚀实现基底结合的纳米结构
批准号:
28791981
负责人:
Professor Dr. Thomas Höche
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Units
财政年份:
2006
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2005-12-31 至 2009-12-31

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
基底纳米结构由衍射-激光烧蚀成像韦尔登组成。通过对掩模测量、反射测量、激光辐射和Zahl应用脉冲的测量组合,可以实现纳米结构控制器的结构涡轮、调节和Abstand。因此,类似于墙结构(带Streifenmaske)的墙结构(通过连续的带Streifenmasken的非对称的Ausrichtung respektive的Schachbrettmaske)也会导致韦尔登。Die kristallographische Orientierung ist hierbei im Gegenophilus zur Züchtung von Nanostrukturen in der Substratebene frei wählbar.韦尔登薄膜是由GaN-MnSiN 2、ZnO等半导体异质结纳米结构组成的晶体薄膜。通过衍射-激光烧蚀技术,在垂直基底上制备了韦尔登金属微粒阵列。这一金属结构韦尔登由研究小组提供模板,用于测试和设计。半导体纳米结构的特性将包括光栅和透射电子显微镜。Ausgewählte physikalische Eigenschaften(elektrischer Widerstand,Lumineszenz,etc.)纳米结构韦尔登是研究小组的核心。
英文摘要
Substratgebundene Nanostrukturen können aus dünnen Schichten mittels Diffraktionsmaskenprojektions-Laserablation hergestellt werden. Durch eine geeignete Kombination von Maskengeometrie, Verkleinerungsmaßstab des Reflexionsobjektivs, Wellenlänge der eingesetzten Laserstrahlung und Zahl applizierter Pulse sind dabei Strukturbreite, Anordnung und Abstand der Nanostrukturen kontrollierbar. So können sowohl parallele Wallstrukturen (mittels Streifenmaske) als auch Punktstrukturen (durch sequentielle Bearbeitung mit Streifenmasken unterschiedlicher Ausrichtung respektive Einsatz einer Schachbrettmaske) erhalten werden. Die kristallographische Orientierung ist hierbei im Gegensatz zur Züchtung von Nanostrukturen in der Substratebene frei wählbar. Es werden einerseits einkristalline Dünnfilme aus GaN - MnSiN2, (dotiertem) ZnO sowie Halbleiterheteroschichten nanostrukturiert. Andererseits werden Arrays nanoskaliger Metall-Punkte auf verschiedenen Substraten durch Diffraktionsmaskenprojektions-Laserablation generiert. Diese Metall-Punktstrukturen werden innerhalb der Forschergruppe als Template für andere Teilprojekte zur Verfügung gestellt. Die Charakterisierung der erhaltenen Nanostrukturen wird mittels Raster- und Transmissionselektronenmikroskopie sowie Rasterkraftmikroskopie erfolgen. Ausgewählte physikalische Eigenschaften (elektrischer Widerstand, Lumineszenz, etc.) dieser Nanostrukturen werden innerhalb der Forschergruppe untersucht.
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