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Hoch und niedrig dispersive periodische und aperiodische mikrophotonische Strukturen in Silicon-On-Insulator

Hoch und niedrig dispersive periodische und aperiodische mikrophotonische Strukturen in Silicon-On-Insulator
绝缘体上硅中的高和​​低色散周期性和非周期性微光子结构
批准号:
28893666
负责人:
Professor Dr. Manfred Eich
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Units
财政年份:
2006
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2005-12-31 至 2011-12-31

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
Das Wisenschaftliche Ziel des beantragten Projektes ist die Theoretische and ExperientelleEntwickung von Verfahren zur abstimmbaren Frequenzverschiebung and Zeitverzögerungbasierend auf einer auf Dem Chip Mittels geführter Wellen erfolgenden调制desBrechungsindex in SOI Strukturen.索契·埃菲克特出现在《动态》杂志上。动态的调制是有效的,我们的内部控制是错误的,也是内部控制的。他妈的相位信息和信号是错误的,这是一种错误的频率和方式。共鸣与慢光支持,嗯,请注意1-10ps的动态变化。在光吸收(TPA)和光吸收(TPA)中,以及在MIT良好的线性光(NLO)聚合中,动态调制DES Brechungsindex kann sowohl optisch dnderung der Konzentation Freier Freier Ladungsträger。通过动态的操作和响应,使信号的频率达到最大。根据Von Ringischoren and Phoonischen Kristallen(PhK)könnnen zurDynamischen调制解调器的脉冲调制方式,我们可以在Pocosekundenbereich von Ringischen and Phoonischen Kristallen(PhK)können zurDynamischen调制解调器的基础上实现脉冲调制。这是一种实验,它的动力频率很高,而且它的动力特性也很好。他说:“我不知道你的名字是什么意思,但我不会这么做。”这是一个很好的选择,因为这是一个很好的选择,而且L的手套也是有效的。光在硅片中的错误,在好的线性光聚合中的光的作用,在光的基础上,在光的基础上。这是一位伟大的艺术家,也是一位伟大的天才。麻省理工学院慢光支持和麻省理工学院的共鸣L?,?绝地武士Sollen die von uns zu konzipierenden sttrukturen für die Pumpfreenz keine starke Resonanz Besitzen,um die zeitlicheAusdehnung des Pumppulses nht ht zu stark zu vergröern and die Schaltzeiten im Bereichvon Pikosekunden zu halten.所有的事情都是这样的。由于信号频率的提高,信号的频率越来越高,信号的频率越来越高。在谐振器施内勒和谐振器之间有很大的区别。Das Konzept将实施Ang apasste RingResonator-和PhK Strukturen。Eine andere Möglichkeit在DCombination von PhK Resonatoren和Slow Light Wellenleitern中的应用。在慢光的影响下,我们的生活将会变得更加美好。大贝姆森是一家机械制造厂,它的主要特点是制造和销售。这是一种在100 GHz频段和100 GHz频段之间传输数据的方法。信号的频率是微光的,也是最好的。Dese Frequenzverschiebungist lediglich abhängig von der Modulationsstärke,D.H.Von der angeleten spannung.麻省理工学院设计了10 GHz频段和100 GHz频段的材料。这是一个来自MIT的技术团队,它的设计不具备功能性,因此不支持电光调制和调制技术。我正在设计一种新型的光纤锁模激光器,它具有良好的光学特性。
英文摘要
Das wissenschaftliche Ziel des beantragten Projektes ist die theoretische und experimentelleEntwicklung von Verfahren zur abstimmbaren Frequenzverschiebung und Zeitverzögerungbasierend auf einer auf dem Chip mittels geführter Wellen erfolgenden Modulation desBrechungsindex in SOI Strukturen. Solche Effekte werden in der Literatur als "dynamisch"bezeichnet. Die Modulation hat einen solchen dynamischen Effekt, wenn sie innerhalb einerZeitdauer erfolgt, die kürzer ist als die Signallebensdauer innerhalb der Struktur. Damit bleibtdie Phaseninformation des Signals erhalten, während sich Frequenz und Bandbreite an diegeänderte Struktur anpassen. Resonatoren und Slow Light Strukturen sollen eingesetztwerden, um die Signallebensdauer zu verlängern und damit mit Pumppulsen von 1-10 psdynamisch zu schalten. Die dynamische Modulation des Brechungsindex kann sowohloptooptisch durch Änderung der Konzentration freier Ladungsträger in Silizium aufgrund vonZwei-Photonen-Absorption (TPA) oder durch den Kerr-Effekt, als auch elektrooptisch durchden Pockels-Effekt in mit nichtlinear optischen (NLO) Polymeren funktionalisiertenSiliziumstrukturen erreicht werden. Bei der dynamischen Manipulation von optischenResonatoren wird die Frequenz von optischen Signalen verschoben und/oder die Bandbreitedes Signals geändert. Durch die Entwicklung von hoch resonanten photonischen Strukturenauf der Basis von Ringresonatoren und photonischen Kristallen (PhK) können zurdynamischen Modulation bereits Pulsdauern im zehn Pikosekundenbereich verwendetwerden. Erste experimentelle Arbeiten weisen die dynamische Frequenzverschiebung in SOIbasierten Ring- und PhK-Resonatoren als auch die dynamische Speicherung in gekoppeltenRing- und PhK-Resonatoren nach. Den bisher verfolgten Konzepten liegt zugrunde, dass diePumpwelle freistrahloptisch auf den Chip einwirkt, mit allen damit verbundenen Nachteilenhinsichtlich Komponentengröße und Justageaufwand. Das hier zu verfolgende neuartigeKonzept setzt daher auf optooptische Abstimmung mit wellenleitergeführten Pump- undSignalwellen und auf einer Lösung mittels elektrooptischem Effekt. Die geplante optooptischeAbstimmung erfolgt durch die Erzeugung freier Ladungsträger in Silizium oder durch dieNutzung des optischen Kerr-Effektes in nichtlinear optischen Polymeren, die in geschlitztenSOI basierten Wellenleitern eingebracht werden. Wesentlich bei geschlitzten Wellenleiternist, dass eine starke Erzeugung von freien Ladungsträgern vermieden wird. Mit Slow LightStrukturen und mit Resonatoren lässt sich lokal an den Stellen, wo die optooptischeModulation stattfinden soll, gezielt die optische Intensität anheben, um eine ausreichendeVerschiebung des Brechungsindex zu erzeugen, während die Intensität in denZuführungswellenleitern niedrig bleiben kann. Jedoch sollen die von uns zu konzipierendenStrukturen für die Pumpfrequenz keine starke Resonanz besitzen, um die zeitlicheAusdehnung des Pumppulses nicht zu stark zu vergrößern und die Schaltzeiten im Bereichvon Pikosekunden zu halten. Diese Optimierung soll untersucht werden. Demnach muss dieStruktur zwei unterschiedliche Resonanzen bei Pump- und Signalfrequenz sowie einenhinreichend hohen Q-Faktor für die Signal- bei niedrigem Q-Faktor für die Pumpwelleaufweisen. Damit sollte der Brechungsindex im Resonator schneller verändert werdenkönnen, als die Signalwelle den Resonator verlassen kann. Das Konzept wird implementiertdurch angepasste Ringresonator- und PhK Strukturen. Eine andere Möglichkeit besteht in derKombination von PhK Resonatoren und Slow Light Wellenleitern. Die Pumpwelle wird durchden Slow Light Effekt gebremst, um gezielt und lokal die Intensität anzuheben und entwederdie freien Ladungsträger zu erzeugen oder einen starken Kerr-Effekt zu verursachen. Dabeimüssen die diesen verschiedenen Mechanismen eigenen Zeitkonstanten berücksichtigtwerden. Es ist beabsichtigt, eine Frequenzverschiebung im Bereich von 100 GHz und eineSpeicherzeit im Bereich von 100 ps zu demonstrieren. Um die Frequenz eines Signals imSlow Light Wellenleiter elektrooptisch zu verschieben, muss dessen optische Strukturwährend der Ausbreitungszeit des Signals geändert werden, damit sich die Welle während derÄnderung noch vollständig innerhalb des Wellenleiters befindet. Diese Frequenzverschiebungist lediglich abhängig von der Modulationsstärke, d.h. von der angelegten Spannung. Mit denheute verfügbaren Materialien sollte bei einer Modulationsfrequenz von 10 GHzspannungsabhängig eine von 0 bis 100 GHz abstimmbare Frequenzverschiebung erzielbarsein. Es besteht eine starke Verknüpfung mit Teilprojekt E1 im Bereich Design undFunktionalisierung für hochfrequente elektrooptische Modulation und Ankopplung derMikrowellensignale. Im Projekt E1 sollte der beantragte Mode Locked Laser auch für dieCharakterisierung der schnellen optischen Gleichrichtung eingesetzt werden.
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