Niedrigfrequenz- 1/f und Phasenrauschen in niedrig-dimensionalen Nitrid basierenden Heterostrukturen

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Durch das Projekt soll eine bestehende Zusammenarbeit zwischen dem Forschungszentrum Jülich (FZJ), Deutschland und dem Institut für Halbleiterphysik (ISP), Kiew, Ukraine intensiviert werden. Das Projekt konzentriert sich auf experimentelle und theoretische Untersuchungen von Nicht-Gleichgewichtsfluktuationen und Besonderheiten des nicht-linearen Transports in state-of-theart Nano-Heterostrukturen. Die dabei zu untersuchenden Objekte sind Nitrid-Heterostrukturen. Konkret sollen dabei Fluktuationsphänomene, die mit der Bewegung von Ladungsträgern in Quantentöpfen und in engen Elektronenkanälen von FeldeffektTransistoren zusammenhängen, untersucht werden. Die experimentellen Arbeiten werden in beiden Forschungseinrichtungen (FZJ und ISP) durchgeführt. Es sollen die physikalischen Ursachen des elektrischen Rauschens durch experimentelle Untersuchungen in einem weitern Spektralbereich ermittelt werden sowie neue Konzepte zur möglichen Reduktion des Rauschpegels entwickelt werden. Besondere Aufmerksamkeit gilt dabei der Untersuchung von Möglichkeiten zur Reduktion des Rauschens in Kurzkanaltransistoren. Die entwickelten Methoden sollen auf III-V Nitrid-Heterostrukturen und Feldeffekt-Transistoren angewandt werden. Die Ergebnisse dieses Kooperationsprojektes werden sowohl für die auf Nitriden basierende moderne Nano- und Optoelektronik als auch für Hochfrequenz- und HochleistungsIII-V-Elektronik von grosser Bedeutung sein.