Material Design of High Mobility Transparent Conductive Films
Material Design of High Mobility Transparent Conductive Films
高迁移率透明导电薄膜的材料设计
批准号：
20K05339
负责人：
Koida Takashi
金额：
$2.75万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
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Effective mass of In2O3-based transparent conductive oxide films with high electron mobility
高电子迁移率In2O3基透明导电氧化物薄膜的有效质量
高电子迁移率In2O3基透明导电氧化物薄膜的有效质量
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Takashi Koida]
通讯作者：
Takashi Koida
High-mobility In2O3-based transparent conducting films fabricated by solid-phase crystallization
固相结晶法制备高迁移率In2O3基透明导电薄膜
固相结晶法制备高迁移率In2O3基透明导电薄膜
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Imamura Gaku, Yoshikawa Genki, Takashi Koida]
通讯作者：
Takashi Koida
固相結晶化法を用いた低温製造 In2O3:H 広帯域透明電極の開発と太陽電池への応用
固相结晶法低温生产In2O3:H宽带透明电极的开发及其在太阳能电池中的应用
固相结晶法低温生产In2O3:H宽带透明电极的开发及其在太阳能电池中的应用
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[森下桃花, 栁谷伸一郎, 鈴木良尚, 鯉田 崇]
通讯作者：
鯉田 崇
Stability of Broadband Transparent Conductive Oxide Electrodes Fabricated at Low Process Temperatures
低工艺温度下制造的宽带透明导电氧化物电极的稳定性
低工艺温度下制造的宽带透明导电氧化物电极的稳定性
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Takashi Koida, Yuko Ueno]
通讯作者：
Yuko Ueno
High and broadband sensitivity front- side illuminated InGaAs photo field- effect transistors (photoFETs) with SWIR transparent conductive oxide (TCO) gate
具有 SWIR 透明导电氧化物 (TCO) 栅极的高宽带灵敏度正面照明 InGaAs 光电场效应晶体管 (photoFET)
具有 SWIR 透明导电氧化物 (TCO) 栅极的高宽带灵敏度正面照明 InGaAs 光电场效应晶体管 (photoFET)
DOI：
10.1063/5.0065776
发表时间：
2021
期刊：
Appl. Phys. Lett.
影响因子：
--
作者：
[T. Maeda, K. Ohishi, H. Ishii, W. H. Chang, T. Shimizu, A. Endo, H. Fujisiro and T. Koida]
通讯作者：
H. Fujisiro and T. Koida
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