Anlage zur Präparation und Charakterisierung von organischen Elektronikbauelementen

纳米系统化学研究中心（CNC）和有机化学研究中心（Lehrstuhl）和有机化学研究中心（IOC）在Leitung von Frank w<s:1> rthner教授和den Nachwuchsgruppenleitern Agnieszka博士Nowak-Król和Florian Beuerle博士的指导下成立。20 wissenschaftlichen Mitarbeitern syntisiert, die als Organische Halbleiter，吸收体和发射体在sichtbaren spectrebereich和Nahinfrarotbereich zum Einsatz gebracht werden können。[4] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1]Durch Sublimation von unterschiedlichen Metallen， metallooxiden and weiterer kommerziell erhältlicher主办单位ververindungen Hochvakuum mit Hilfe von von geschneiderten Schattenmasken sollen Elektronikbauteile hergestellt werden， die in der beantragten Anlage under Ausschluss von Sauerstoff und Feuchtigkeit elektronisch and optisch characterisierwerden können。1 .德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国

Am Zentrum für Nanosystemchemie (CNC) und am Lehrstuhl für Organische Chemie II des Instituts für Organische Chemie (IOC) werden unter der Leitung von Prof. Dr. Frank Würthner und den Nachwuchsgruppenleitern Dr. Agnieszka Nowak-Król und Dr. Florian Beuerle neue organische Materialien von ca. 20 wissenschaftlichen Mitarbeitern synthetisiert, die als organische Halbleiter, Absorber und Emitter im sichtbaren Spektralbereich und Nahinfrarotbereich zum Einsatz gebracht werden können. Für deren kontrollierte Verarbeitung unter inerten Bedingungen sowohl aus Lösung als auch im Vakuum zu dünnen Schichten mit definierter Dicke, Anisotropie, Morphologie und Zusammensetzung wird die neue Anlage bestehend aus Beschichtungskammern und Handschuhboxen benötigt. Durch Sublimation von unterschiedlichen Metallen, Metalloxiden und weiterer kommerziell erhältlicher organischer Verbindungen im Hochvakuum mit Hilfe vonmaßgeschneiderten Schattenmasken sollen Elektronikbauteile hergestellt werden, die in der beantragten Anlage unter Ausschluss von Sauerstoff und Feuchtigkeit elektronisch und optisch charakterisiert werden können. Auf Grund der Empfindlichkeiten vieler Akzeptor- und Donor-Materialien sowie der Elektroden und Grenzflächen gegenüber Sauerstoff und Feuchte müssen alle Fertigungsschritte sowie die Charakterisierung unter möglichst inerten Bedingungen erfolgen.