Molekularstrahlepitaxie-Anlage zur Herstellung und in situ Analyse von 2D-Materialien

Für das Walter Schottky Institut(ZentalInstitute d.Physik-Department)der TU München soll eine Molekularstrahl-Ep itaxie(MBE)Anlage zur tom ar präzisen Herstellung and in Site Charakterisierung von halbleitenden 2D-MateriForeign angeschafft.在DEM STARK Wachsenden Forschungsfeld der 2D-Materien(Inbe Besondere derÜberegsmetall-Dichalkgenide，TMDC，and Gruppe-lll/VI Halbleiter)中，我们将不再使用新的合成方法，以及新的纳米材料和异质材料。在Echtzeit zu untersushen and zu kontrollien的合成材料中，我们发现了一种原位分析方法和方法，以及genzfläChen和Elektronische Eigenschaften的合成材料。[中英文摘要]Engen Kooperation en im Münchner Umfeld(V.A.《明兴纳米系统倡议》中的Exzellenz集群)和Darüber hinaus zum einsatz komman。从国际上看，这是一种全新的技术和技术形式，它是一种全新的、更高层次的材料。

Für das Walter Schottky Institut (Zentralinstitut d. Physik-Department) der TU München soll eine Molekularstrahl- Epitaxie (MBE) Anlage zur atomar präzisen Herstellung und in situ Charakterisierung von halbleitenden 2D-Materialien angeschafft werden. Ziel ist es dabei in dem stark wachsenden Forschungsfeld der 2D-Materialien (insbesondere der Übergangsmetall-Dichalkogenide, TMDC, und Gruppe-lll/VI Halbleiter) eine herausragende Synthese-Methode zu etablieren, welche neuartige Nanostrukturen und Heterostrukturen mittels van der Waals (vdW) Epitaxie von höchster elektronischer Materialqualität und Funktionalität ermöglicht. Dieses UHV-basierte Verfahren eröffnet weiter eine Palette an leistungsstarken in situ Analyse-Methoden um strukturell-, oberflächen-, grenzflächen-spezifische und elektronische Eigenschaften der synthetisierten Materialien in Echtzeit zu untersuchen und zu kontrollieren, was in kaum einem anderen Verfahren derzeit möglich ist. Die hergestellten Materialien sollen in einer Vielzahl von Forschungsprojekten am WSI sowie in engen Kooperationen im Münchner Umfeld (v.a. über Exzellenz Cluster der "Nanosystems Initiative München") und darüber hinaus zum Einsatz kommen. Nach unserem Kenntnisstand ist dieses gerätetechnische Vorhaben zur Herstellung von TMDC und Gruppe-lll/VI halbleitenden vdW-Nano-/Heterostrukturen eines von bislang wenigen auf internationaler Ebene, und eröffnet uns die Möglichkeit Forschung an halbleitenden 2D-Materialien auf konkurrenzfähigem Niveau zu betreiben.