Intermediates leading to solid GaN, GaP, AIN and AIP. New synthetic methods for molecular oligomers under mild conditions. Spectroscopy and quantum chemical investigations.

Um zu molecular aren III/ v - clusteral Vorstufen zu kristallinen Halbleitern zu gelangen, drfen nicht die klassischen hochtemperature - reaktionen eingesetzt werden， die热力学控制系统bis zu den Festkörpern ablaufen。对此您我们的军队Vorversuche毛皮das beantragte Projekt静脉Syntheseverfahren entwickelt, das冯metastabilen GaX——和AlX-Losungen ausgeht,死bisher努尔在unser Arbeitsgruppe hergestellt wurden。奥德赛·魏斯被封为N- bzw。P- <e:1> bertragen Reagenzien neue GaN- bzw。GaP-Oligomere erschlossen werden， die weder与Ga- noch和N阶p -原子取代基之间的接合，并与z. B. bei . den - gut untersuten RAlNR-Käfigverbindungen der Fall list。在ga - metal和das三卤歧化反应中，温度与温度之间的关系为：温度与温度之间的关系。Die erforderlichen niedrigen reaktionstenden bieter reaktionnenden Vorteil， dasß unterUmständen auth亚稳GaN/GaP-Oligomere abgefangenwerden können， deren Größe sich nach Reaktionsbedingungen bis in den nanoterberchiken kann和schließ ßlich zu den kristallinen halbleinteren fhren sollte。Eine derartige maßgeschneiderte Synthese von III/ v - clusterist als tragel des beantragten Projektes anzusehen。定向演化与初始演化、初始演化与初始演化、初始演化与初始演化、初始演化与初始演化、初始演化与初始演化、初始演化与初始演化、初始演化与初始演化、初始演化与初始演化。

Um zu molekularen III/V-Clustern als Vorstufen zu kristallinen Halbleitern zu gelangen, dürfen nicht die klassischen Hochtemperaturreaktionen eingesetzt werden, die thermodynamisch kontrolliert bis zu den Festkörpern ablaufen. Deshalb haben wir durch Vorversuche für das beantragte Projekt ein Syntheseverfahren entwickelt, das von metastabilen GaX- und AlX-Lösungen ausgeht, die bisher nur in unserer Arbeitsgruppe hergestellt wurden. Auf diese Weise sollen mit N- bzw. P-übertragenden Reagenzien neue GaN- bzw. GaP-Oligomere erschlossen werden, die weder am Ga- noch am N- oder P-Atom Substituenten tragen, wie es z. B. bei den gut untersuchten RAlNR-Käfigverbindungen der Fall ist. Die von uns vorgeschlagene Methode ist auf milde Reaktionsbedingungen angewiesen, da bei Temperaturen oberhalb Raumtemperatur die GaX-Lösungen meist in Ga-Metall und das Trihalogenid disproportionieren. Die erforderlichen niedrigen Reaktionstemperaturen bieten bei dieser Reaktion nun den Vorteil, daß unter Umständen auch metastabile GaN/GaP-Oligomere abgefangen werden können, deren Größe sich je nach Reaktionsbedingungen bis in den Nanometerbereich erstrecken kann und schließlich zu den kristallinen Halbleitern führen sollte. Eine derartige maßgeschneiderte Synthese von III/V-Clustern ist als Traumziel des beantragten Projektes anzusehen. Orientierende ab initio-Untersuchungen, die das gesamte Projekt begleiten sollten, zeigen aber bereits heute, daß derartige donorstabilisierte Clusterverbindungen Minima auf der Potentialhyperfläche darstellen.