Spektrale Feinstruktur und Anisotropie des elektronischen Transports in Quasikristallen: Die Rolle ikosaedrischer und dekagonaler Atomcluster

as elektronische Transportverhalten von Quasikristallen ist durch extreme Energieabhängigkeiten…和starke各向异性…gekennzeichnet。在Rahmen， des Vorhabens等人的基础上，提出了一种量子力学方法。An realistischen Modellen (approximate) iksaedrischer和dekagonaler准晶体werden f<e:1> r T=0 Leitfähigkeiten （Kubo/Greenwood）和Leitwerte (Landauer/ b<s:1> ttiker) berechnet。(2)“定向运输”，“定向能源”，“定向能源”，“定向能源”，“定向能源”，“定向电子”，“定向电子”，“定向电子”，“定向电子”，“定向电子”。德国模型修正技术研究中心klären，德国模型修正技术研究中心abhängt。Konzept教授提出了一种分层模型（Janot）。在化学装饰和原子簇定向研究方面取得了突破性进展。电子学研究进展与进展Streuvermögens电子干扰研究进展与进展。Aussagen zu Temperaturabhängigkeiten电子学研究中心拟晶体特征分析中心模型研究中心光谱分析中心Verläufe der Leitfähigkeit gemacht。大北光电光谱特性与光谱特性与光谱特性与光谱特性与光谱特性与光谱特性与光谱特性[3]准晶晶体的模拟与实验研究[j]。

Das elektronische Transportverhalten von Quasikristallen ist durch extreme Energieabhängigkeiten ... und starke Anisotropien ... gekennzeichnet. Im Rahmen des Vorhabens soll mit quantenmechanischen Methoden untersucht werden, welche Rolle dabei Atomcluster spielen. An realistischen Modellen (Approximanten) ikosaedrischer und dekagonaler Quasikristalle werden für T=0 Leitfähigkeiten (Kubo/Greenwood) und Leitwerte (Landauer/Büttiker) berechnet. Wir orientieren auf Transportsituationen, die hinsichtlich Energie/Ausbreitungsrichtung der Elektronen eng benachbart liegen, sich aber im Transportverhalten grundlegend unterscheiden (metallisch/nichtmetallisch). Durch gezielte Modifikationen der Modelle ist zu klären, von welchen Modelleigenschaften dieses Verhalten kritisch abhängt. Unser Konzept steht dem hierarchischen Modell (Janot) nahe. Wir vermuten wesentliche Ursachen in der chemischen Dekoration und der Orientierungsordnung der Atomcluster. Kritische Verteilungen des Streuvermögens im Raum erzeugen durch elektronische Interferenz das besondere Transportverhalten.Aussagen zu Temperaturabhängigkeiten elektronischer Eigenschaften von Quasikristallen werden auf der Grundlage modellierter spektraler Verläufe der Leitfähigkeit gemacht. Dabei sind diejenigen spektralen Charakteristika zu ermitteln, aus denen sich das besondere Verhalten möglichst vieler elektronischer Messgrössen zwanglos ergibt. Die Modellierungen stützen sich auf ab initio Ergebnisse für kleine Approximanten und wenige experimentell gesicherte Fakten für Quasikristalle.