Verzerrungsinduzierte Selbstordnungsprozesse in heteroepitaktischen Silizium-Germanium Schichten

麻省理工学院（Mit）工程项目（soljekt）机械工程（selbstordung）和工程技术（zeitliche Ablauf）工程技术（wachstumstpromeses）工程技术（berispiel de Systems GeSi）， lösungsgezüchtet金属工程（metallischer Schmelze auf Si），分析工程（flflsigphasenepitaxic， LPE）。Diese method zeichnet siich aus durch sehr kleine treibende Kräfte (gleichgewichtsnahe z<s:1> chtung) and durch hothediffusionskoeffizenten in der Schmelze。研究与发展：研究与发展；研究与发展；研究与发展；研究与发展；- Oberflächenwellen and Inseln, deren Entstehungsabfolge, deren charteristische geometrische, Form, Größe and Anordnung - lokale Verzerrung and chemische Zusammensetzung- Änderungen beim Überwachsen in Form, Verzerrungszustand und Zusammensetzung

Mit diesem Projekt sollen die Mechanismen der Selbstordnung und der zeitliche Ablauf des Wachstumsprozesses bei der fehlpassenden Heteroepitaxie am Beispiel des Systems GeSi, lösungsgezüchtet aus metallischer Schmelze auf Si, analysiert werden (Flüssigphasenepitaxie, LPE). Diese Methode zeichnet sich aus durch sehr kleine treibende Kräfte (gleichgewichtsnahe Züchtung) und durch hohe Diffusionskoeffizienten in der Schmelze. Dadurch sind Wachstum und Strukturbildung praktisch energetisch bestimmt, kinetische Einflüsse sind vernachlässigbar. Wir studieren in Abhängigkeit von Wachstumstemperatur, -geschwindigkeit und GeSi-Zusammensetzung (also Fehlpassung):- Oberflächenwellen und Inseln, deren Entstehungsabfolge, deren charakteristische Geometrie, Form, Größe und Anordnung - lokale Verzerrung und chemische Zusammensetzung- Änderungen beim Überwachsen in Form, Verzerrungszustand und Zusammensetzung