Virtuelle Substrate für die Heterointegration

莱希特集成是现代工业中的一项重要技术。Das Konzept des Virtuellen衬底错误的整体集成von Neuartigen弹性炎症Verspannten SiGe异质结构混杂元素MIT der konvenonellen Si-Mikroelektronik。这是一种虚拟的衬底，它的弹性松弛，它的弹性松弛的SiGe Pfferschicht，以及它的基础上的所有人都是这样的。这是一种最好的、最好的、最轻松的、最好的、最好的选择。在Elektronikgesichtspunkten Auf Optimierung Ultradünner SiGe Puffer für Virtuelle衬底下，Das vorliegende Vorhaben zielt。技术和技术是最好的和最好的解决办法，这些帮派和帮派都是原地踏步，然后才能从网上得到更多的信息。在测试过程中，所有的测试都是通过测试来实现的，而不是通过测试来实现的。

Die leichte Integrationsfähigkeit ist eine der wichtigsten Randbedingungen in der modernen Mikroelektronik. Das Konzept des virtuellen Substrats erlaubt die monolithische Integration von neuartigen elastisch verspannten SiGe Heterostrukturbauelementen mit der konventionellen Si-Mikroelektronik. Das virtuelle Substrat besteht aus einem üblichen Si-Substrat mit einer dünnen, elastisch relaxierten SiGe Pufferschicht, die dem Substrat zu einer größeren oberflächigen Gitterkonstante verhilft. Die Optimierung der relaxierten Pufferschicht unter werkstoffwissenschaftlicher Sicht führte zu dicken, gradierten Puffern, die für die mikroelektronische Integration nur schwer einsetzbar sind. Das vorliegende Vorhaben zielt unter Elektronikgesichtspunkten auf eine Optimierung ultradünner SiGe Puffer für virtuelle Substrate. Technischer Ansatzpunkt für die Optimierung des Relaxationsvorgangs ist die in situ Injektion von Punktdefekten, welche die Ausbildung des notwendigen Netzwerks von Fehlanpassungsversetzungen erleichtern. Die Auswirkungen der "virtuellen Substrat"-Qualität werden direkt beobachtet mit einfachen Testbauelementen, deren Eigenschaften mit Modellvorstellungen verglichen werden.