Plastische Relaxation von Si1-xGex-Schichten, makro- und mikroskopische Mechanismen

硅-锗-混合晶体材料体系研究[j]。Dennoch können best estimte Möglichkeiten des Materialsystems night vol ausgeschöpft werden, da die Relaxation mittelels Misfitversetzungen night hinreichend beherrscht wind。In einem vorangehenden Projekt wurde nachgewiesen, dasß Quergleiten beder relaxen, wesentliche Rolle spielt and dases Möglichkeiten gibt，局部塑性松弛auszulösen。Wesentliche Teilprozesse der Relaxation sind in der anfang相die nucleing and bisher unbekannten defkten and weiteren Verlauf die Konkurrenz von Blockierung和Quergleiten beder Propagation von Misfitversetzungen。德国机械工程学会（diesmechanismen sollen durch die组合von Röntgentopographie， atomkraftmicroskopie and vermissionselektronenmicroskopie mittelels） Zielpräparation in verschiedenskalenbereichen untersucht werden。Diese Techniken sollen anderseits每一项工程，在特殊情况下的block和quergleten präparierten Proben untersuchen zu können。

Silizium-Germanium-Mischkristallschichten auf Siliziumsubstraten sind als Materialsystem für schnelle Mikroelektronik etabliert. Dennoch können bestimmte Möglichkeiten des Materialsystems nicht voll ausgeschöpft werden, da die Relaxation mittels Misfitversetzungen nicht hinreichend beherrscht wird. In einem vorangehenden Projekt wurde nachgewiesen, daß Quergleiten bei der Relaxation eine wesentliche Rolle spielt und daß es Möglichkeiten gibt, lokal plastische Relaxation auszulösen.Wesentliche Teilprozesse der Relaxation sind in der Anfangsphase die Nucleation an bisher unbekannten Defekten und im weiteren Verlauf die Konkurrenz von Blockierung und Quergleiten bei der Propagation von Misfitversetzungen. Diese Mechamismen sollen durch die Kombination von Röntgentopographie, Atomkraftmikroskopie und vor allem Transmissionselektronenmikroskopie mittels Zielpräparation in verschiedenen Skalenbereichen untersucht werden. Diese Techniken sollen andererseits auch eingesetzt werden, um Blockierung und Quergleiten in speziell präparierten Proben untersuchen zu können.