Herstellung halbleitender Si-Verbindungen mittels strukturierender Hochdosis-Ionen-Implantation
Herstellung halbleitender Si-Verbindungen mittels strukturierender Hochdosis-Ionen-Implantation
批准号:
5241265
负责人:
Professor Dr. Jan Meijer
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
2000
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
1999-12-31 至 2005-12-31
中文摘要
麻省理工学院在植入材料的过程中,对其进行了系统分析,并对其进行了材料改进。我们将为您提供一种全新的植入术。我是拉赫曼人,他在14个月的时间里完成了14吨以上的工作。在此基础上提出了一种新的纳米技术。马森-能源-Produkt von Mehr-Produkt von Mehr ALS 100 MeV Amu帽子,Sollte es Damit möglich sein,Strukturen von(8 X 8)mm2 MIT einer Auflöung unterhalb von 300 nm abzubilden。Der Aufbau der vvhandenen Ionen-Mikrosonde dh den einatz eines neuen Solenids MIT höherer Feldstärke würde Die Inplementen von Schware Elementen Wie Z.B.Ru,Re,Os and ir erlaben.希尔杜尔奇将死于他的工作,并将他的工作做得更好。硅化硅是一种新型的材料,以硅基材料为基础,以材料为基础,以技术为基础,从整体上看。我不知道该怎么做,但我不能这么做。我是一位名叫Arbeit Sollen的人,他的实验目的是为了更好地实现这一目标。
英文摘要
Mit supraleitenden Solenoiden ausgerüstete Ionen-Mikrosonden stellen nicht nur exzellente Analyse-Systeme dar, sondern sind auch besonders dazu geeignet, Materialmodifikationen durch Implantation zu bewirken. Aufgrund ihrer ionenopischen Güte sind sie herkömmlichen Systemen weit überlegen und erlauben den Aufbau neuartiger Implantationssysteme. Im Rahmen dieses Antrages soll durch den Einsatz eines 14 T supraleitenden Solenoiden als fokussierende Linse die Möglichkeit geschaffen werden durch Implantation schwerer Elemente Materialien strukturiert zu synthetisieren. Dabei sollen laterale Auflösungen im Bereich von einigen Hundert Nanometern erreicht werden. Da die hier projektierte Linse ein Massen-Energie-Produkt von mehr als 100 MeV amu hat, sollte es damit möglich sein, Strukturen von (8 x 8) mm2 mit einer Auflösung unterhalb von 300 nm abzubilden. Der Aufbau der vorhandenen Ionen-Mikrosonde durch den Einsatz eines neuen Solenoids mit höherer Feldstärke würde die Implantation von schweren Elementen wie z.B. Ru, Re, Os und Ir erlauben. Hierdurch wird die Möglichkeit geschaffen, ein breites Spektrum von halbleitenden Siliziden zu erzeugen. Halbleitende Silizide mit direktem Bandübergang erlauben es, Leuchtdioden auf Si-Basis herzustellen und haben den Vorteil, daß diese Materialien in die normale, auf Si basierende Technologie zu integrieren sind. Einige Kandidaten derartiger Silizide sind bekannt, aber bislang kaum untersucht. Im Rahmen dieser Arbeit sollen systematisch sowohl bereits experimentell bekannte als auch vermutete halbleitende Silizid-Verbindungen mittels Ionen-Implantation hergestellt, untersucht und optimiert werden.
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会议论文
Entanglement- enhanced NV- array sensors for electric and magnetic fields
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批准号:193749648
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项目类别:Research Units
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2011
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负责人:Professor Dr. Jan Meijer
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依托单位:
海外基金